Патенти з міткою «а3в5»
Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5
Номер патенту: 103551
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Насиров Махсуд Уалієвич, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна
МПК: H01L 29/47
Мітки: контактів, а3в5, типу, виготовлення, бар'єрних, з'єднань, напівпровідникових, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...
Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу а3в5
Номер патенту: 97882
Опубліковано: 10.04.2015
Автори: Ткаченко Олександр Кирилович, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Болтовець Микола Силович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Іванов Володимир Миколайович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Пилипчук Олександр Сергійович, Саченко Анатолій Васильович
МПК: H01L 21/268
Мітки: напівпровідників, спосіб, а3в5, контакту, створення, низькотемпературного, типу, омічного
Формула / Реферат:
Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...