Виноградов Анатолій Олегович
Спосіб створення омічного контакту до inn
Номер патенту: 108190
Опубліковано: 11.07.2016
Автори: Саченко Анатолій Васильович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Конакова Раїса Василівна, Кладько Василь Петрович, Виноградов Анатолій Олегович, Сай Павло Олегович, Болтовець Микола Силович, Сафрюк Надія Володимирівна, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: H01L 29/45, H01L 21/268
Мітки: створення, омічного, спосіб, контакту
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-si
Номер патенту: 106825
Опубліковано: 10.05.2016
Автори: Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович
МПК: H01L 21/268, H01L 29/00
Мітки: систем, виготовлення, термостійких, спосіб, контактних, метал-si
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...
Спосіб виготовлення фотоелектричних конверторів з фулеренвмісним фотоперетворюючим шаром
Номер патенту: 105848
Опубліковано: 11.04.2016
Автори: Венгер Євген Федорович, Нелюба Павло Леонідович, Виноградов Анатолій Олегович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Колядіна Олена Юріївна, Матвєєва Людмила Олександрівна, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/00
Мітки: фулеренвмісним, конверторів, спосіб, виготовлення, фотоелектричних, шаром, фотоперетворюючим
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотоелектричних конверторів з фулеренвмісним фотоперетворюючим шаром, який включає в себе створення нижнього контактоутворюючого шару, фулеренвмісного фотоперетворюючого шару з наступним нанесенням верхнього контактоутворюючого шару, який відрізняється тим, що після нанесення верхнього контактоутворюючого шару додатково проводять мікрохвильовий відпал тривалістю від 0,1 с до 10 годин, емітансом 10-2¸104 Вт/см2 та...
Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5
Номер патенту: 103551
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Насиров Махсуд Уалієвич, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Коростинська Тамара Василівна, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/47
Мітки: напівпровідникових, бар'єрних, типу, а3в5, з'єднань, спосіб, виготовлення, контактів
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...
Фосфід-індієвий діод ганна
Номер патенту: 103208
Опубліковано: 10.12.2015
Автори: Новицький Сергій Вадимович, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Болтовець Микола Силович, Зайцев Борис Васильович, Бєляєв Олександр Євгенович, Семенов Олександр Володимирович, Слєпова Олександра Станіславівна, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: H01L 29/861, H01L 47/00
Мітки: діод, ганна, фосфід-індієвий
Формула / Реферат:
1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію
Номер патенту: 101023
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович
МПК: H01L 21/268, H01L 21/314
Мітки: спосіб, омічного, n+-кремнію, ненагрівний, контакту, виготовлення
Формула / Реферат:
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів
Номер патенту: 101022
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Конакова Раїса Василівна, Басанець Володимир Васильович, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Болтовець Микола Силович
МПК: G01R 27/04, G01R 19/28, G01R 31/26 ...
Мітки: імпульсних, діодів, лавинно-пролітних, спосіб, ненадійних, потенційно, відбраковування
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si
Номер патенту: 91936
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Кудрик Ярослав Ярославович, Саченко Анатолій Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/00, H01L 21/268
Мітки: спосіб, омічного, контакту, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...
Спосіб формування омічного контакту до n-si
Номер патенту: 87820
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Кудрик Ярослав Ярославович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Саченко Анатолій Васильович, Коростинська Тетяна Василівна, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: H01L 21/268
Мітки: формування, контакту, омічного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...
Спосіб формування омічного контакту до кремнію
Номер патенту: 78936
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/268
Мітки: омічного, контакту, формування, спосіб, кремнію
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...