Атаубаєва Акумис Берисбаївна
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-si
Номер патенту: 106825
Опубліковано: 10.05.2016
Автори: Коростинська Тамара Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна
МПК: H01L 21/268, H01L 29/00
Мітки: систем, термостійких, виготовлення, метал-si, спосіб, контактних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...
Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5
Номер патенту: 103551
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Бєляєв Олександр Євгенович, Насиров Махсуд Уалієвич, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/47
Мітки: напівпровідникових, а3в5, виготовлення, бар'єрних, контактів, спосіб, типу, з'єднань
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію
Номер патенту: 101023
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна
МПК: H01L 21/314, H01L 21/268
Мітки: ненагрівний, виготовлення, спосіб, n+-кремнію, омічного, контакту
Формула / Реферат:
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...