Коростинська Тамара Василівна
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-si
Номер патенту: 106825
Опубліковано: 10.05.2016
Автори: Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович
МПК: H01L 21/268, H01L 29/00
Мітки: контактних, термостійких, спосіб, метал-si, систем, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...
Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5
Номер патенту: 103551
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Насиров Махсуд Уалієвич, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Болтовець Микола Силович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна
МПК: H01L 29/47
Мітки: з'єднань, бар'єрних, спосіб, напівпровідникових, типу, а3в5, виготовлення, контактів
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...
Фосфід-індієвий діод ганна
Номер патенту: 103208
Опубліковано: 10.12.2015
Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Бєляєв Олександр Євгенович, Зайцев Борис Васильович, Семенов Олександр Володимирович, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Болтовець Микола Силович, Слєпова Олександра Станіславівна, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович
МПК: H01L 29/861, H01L 47/00
Мітки: ганна, діод, фосфід-індієвий
Формула / Реферат:
1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію
Номер патенту: 101023
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна
МПК: H01L 21/268, H01L 21/314
Мітки: спосіб, ненагрівний, n+-кремнію, виготовлення, омічного, контакту
Формула / Реферат:
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...
Спосіб створення омічних контактів до n-ain
Номер патенту: 94616
Опубліковано: 25.11.2014
Автори: Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Болтовець Микола Силович, Сай Павло Олегович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Коростинська Тамара Василівна, Капітанчук Леонід Мусійович, Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: H01L 21/268
Мітки: омічних, створення, n-ain, спосіб, контактів
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si
Номер патенту: 91936
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Бєляєв Олександр Євгенович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Конакова Раїса Василівна, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Шеремет Володимир Миколайович
МПК: H01L 21/00, H01L 21/268
Мітки: контакту, омічного, спосіб, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...
Лавинно-пролітний діод з контактною системою на основі металів платинової групи
Номер патенту: 66914
Опубліковано: 25.01.2012
Автори: Коростинська Тамара Василівна, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/00
Мітки: лавинно-пролітний, діод, платинової, контактною, групи, системою, основі, металів
Формула / Реферат:
Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...
Багатошарова контактна система до кремнієвої структури з мілкозалегаючим p-n переходом
Номер патенту: 36917
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна
МПК: H01L 29/40
Мітки: переходом, мілкозалегаючим, багатошарова, кремнієвої, контактна, структури, система
Текст:
...рівняння: T1=T 2+DRT×P (4) DRT - гранично допустиме значення теплового опору бар'єрного шару; Р - потік тепла через бар'єрний шар. Вирішуючи (2) відносно L, знаходимо гранично максимальну товщин у бар'єрного шару: м3 Q - кількість речовини, накопиченої на поверхні розділу метал-бар'єрний шар, атом . м3 2 Новими ознаками, які має дане технічне рішення порівняно з прототипом, є виконання бар'єрного шару з певним відношенням титану до азоту і...
Пристрій отримання багатошарових плівкових покриттів у вакуумі
Номер патенту: 33483
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: C23C 30/00, C23C 28/00
Мітки: пристрій, покриттів, вакуумі, отримання, багатошарових, плівкових
Текст:
...(15) - 1995-C. 2305-2309]. Пристрій містить вакуумну камеру з розміщеними в ній електронно-променевим випарником та сітковим іонізатором, утримувач з підкладкою і газову систему. Процес отримання плівок TiN реалізований при тиску азоту 5-Ю" 4 мм.рт.ст. З швидкістю 0.16 мкміхв при температурі підкладки 350ч-370 °С. Бар'єрні плівки високої пластичності були отримані при прискорюючій напрузі 5 кВ. Параметри електронно-променевого випарника — U =...