Осадчук Олександр Володимирович

Номер патенту: 7409

Опубліковано: 15.06.2005

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Мартинюк Володимир Валерійович

МПК: H01L 29/82

Мітки: магнітний, частотний, сенсор

Формула / Реферат:

Частотний магнітний сенсор, що містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, три резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора підключений до першої бази і другого колектора біполярного...

Номер патенту: 7408

Опубліковано: 15.06.2005

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Мартинюк Володимир Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82

Мітки: сенсор, магнітної, індукції, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор магнітної індукції, що містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, три резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені другий біполярний транзистор, два резистори, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим...

Номер патенту: 7411

Опубліковано: 15.06.2005

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Семенов Андрій Олександрович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H03B 7/00

Мітки: генерації, електричним, частоти, генератор, регулюванням

Формула / Реферат:

Генератор з електричним регулюванням частоти генерації, що містить біполярний транзистор, ємність і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені другий біполярний транзистор, друга і третя ємність, резистор, індуктивність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з першим виводом...

Номер патенту: 71191

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01T 3/00

Мітки: детектор, транзисторний, нейтронів, швидких

Формула / Реферат:

Транзисторний детектор швидких нейтронів, який містить чутливий до радіації нейтронів біполярний транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені другий і третій чутливі до радіації нейтронів біполярні транзистори, перший, другий, третій і четвертий резистори, перша і друга ємності і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого...

Номер патенту: 71190

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01T 3/00

Мітки: напівпровідниковий, швидких, пристрій, дози, нейтронів, виміру

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пристрій для виміру дози швидких нейтронів, який містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені другий і третій чутливі до радіації нейтронів польові транзистори, перший і другий резистори, перша і друга ємності і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого...

Номер патенту: 62884

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Кадук Борис Григорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01T 3/00

Мітки: нейтронів, мікроелектронний, дозиметр, швидких

Формула / Реферат:

Мікроелектронний дозиметр швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів напівпровідниковий діод і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено чутливий до радіації нейтронів біполярний транзистор, польовий транзистор, резистор, ємність, індуктивність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора...

Номер патенту: 62883

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01T 3/00

Мітки: детектор, нейтронів, швидких, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний детектор швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор, джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені чутливий до радіації нейтронів другий польовий транзистор, резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до затвора...

Номер патенту: 62882

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Крилик Людмила Вікторівна

МПК: G01T 3/00

Мітки: виміру, дози, швидких, нейтронів, мікроелектронний, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру дози швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів напівпровідниковий діод і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний транзистор, польовий транзистор, резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора з'єднаний з базою...

Номер патенту: 62016

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/00

Мітки: мікроелектронний, вимірювач, вологості

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач вологості, який містить два біполярних вологочутливих транзистори, який відрізняється тим, що додатково введені три резистори, індуктивність, ємність і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до бази першого вологочутливого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з емітером...

Номер патенту: 61396

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01T 3/00

Мітки: нейтронів, мікроелектронний, сенсор, швидких

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів біполярний транзистор, джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено чутливий до радіації нейтронів другий біполярний транзистор, перший, другий і третій резистори, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому, перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий...

Номер патенту: 61395

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Кадук Борис Григорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01T 3/00

Мітки: детекторний, пристрій, мікроелектронний, нейтронів, швидких

Формула / Реферат:

Мікроелектронний детекторний пристрій швидких нейтронів, що містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний транзистор, резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до бази біполярного транзистора,...

Номер патенту: 48602

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/12

Мітки: газу, вимірювач

Формула / Реферат:

Вимірювач газу, який містить газочутливий опір, який відрізняється тим, що в нього введені два джерела постійної напруги, другий газочутливий опір, два біполярних транзистори, опір, індуктивність і ємність, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом опору, а другий вивід опору підключений до бази першого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з емітером другого біполярного транзистора, при цьому...

Номер патенту: 48601

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Прокопова Марія Олександрівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01F 1/00, G01N 27/12

Мітки: газу, напівпровідниковий, вимірювач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий вимірювач газу, який містить польовий газочутливий транзистор, який відрізняється тим, що в нього введені біполярний транзистор, два джерела постійної напруги, газочутливий резистор, індуктивність, ємність і резистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до бази біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з витоком польового...

Номер патенту: 48600

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/12

Мітки: мікроелектронний, давач, газу

Формула / Реферат:

Мікроелектронний давач газу, що містить польовий газочутливий транзистор, який відрізняється тим, що в нього введені два джерела постійної напруги, два газочутливих польових транзистори, два резистори і дві ємності, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до затвору першого польового газочутливого транзистора, витік якого з'єднаний з...

Номер патенту: 47906

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Прокопова Марія Олександрівна

МПК: G01N 27/12

Мітки: вимірювання, газу, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання газу, що складається з польового газочутливого транзистора, який відрізняється тим, що додатково введені два джерела постійної напруги, газочутливий резистор, другий польовий газочутливий транзистор, індуктивність, ємність і резистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до затвору першого польового газочутливого транзистора,...

Номер патенту: 46385

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна

МПК: G01N 27/22

Мітки: вологості, вимірювач

Формула / Реферат:

Вимірювач вологості, що містить вологочутливу ємність, який відрізняється тим, що в нього введені біполярний та польовий транзистори, індуктивність, ємність, резистор і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до бази біполярного транзистора, емі­тер якого з'єднаний з витоком і підкладкою польового транзистора, а колектор...

Номер патенту: 46381

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/22

Мітки: мікроелектронний, давач, вологості

Формула / Реферат:

Мікроелектронний давач вологості, який містить в собі два біполярних вологочутливих транзистори, який відрізняється тим, що в нього введені третій біполярний вологочутливий транзистор, чотири резистори, дві ємності і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою першого вологочутливого біполярного...

Номер патенту: 46483

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/22

Мітки: пристрій, напівпровідниковий, виміру, вологості

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пристрій для виміру вологості, який містить вологочутливий резистор, який відрізняється тим, що в нього введені другий вологочутливий резистор, біполярний і польовий транзистори, індуктивність, ємність і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого вологочутливого резистора, а другий вивід першого вологочутливого резистора підключений до бази...

Номер патенту: 44001

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 27/14

Мітки: оптичний, давач, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний оптичний давач, який містить два джерела постійної напруги, фоторезистор, польовий транзистор і ємність, який відрізняється тим, що введені два оптичночутливих біполярних транзистори, резистор, друга ємність, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом фоторезистора, а другий вивід фоторезистора з'єднаний із базою першого оптичночутливого біполярного транзистора, колектор якого...

Номер патенту: 43044

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 25/56

Мітки: пристрій, мікроелектронний, виміру, вологості

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру вологості, який містить два вологочутливих польових транзистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені два резистори, ємність, третій вологочутливий польовий транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого вологочутливого...

Номер патенту: 41666

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H04R 19/00

Мітки: тиску, вимірювач, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач тиску, який містить джерело постійної напруги, польовий транзистор, резистор і ємність, який відрізняється тим, що в нього введені друге джерело постійної напруги, два чутливих до тиску біполярних транзистори, друга ємність і другий резистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою першого чутливого до...

Номер патенту: 41665

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H03C 7/00

Мітки: електричних, коливань, мікроелектронний, генератор

Формула / Реферат:

Мікроелектронний генератор електричних коливань, який містить польовий транзистор, ємність і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено другий і третій польові транзистори, перший і другий резистори, друга ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс пер­шого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого...

Номер патенту: 41013

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82

Мітки: магнітної, мікроелектронний, індукції, вимірювач

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції, який містить магніточутливий польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені два магніточутливих польових транзистора, два резистори, дві ємності і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого магніточутливого...

Номер патенту: 40239

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 33/06

Мітки: пристрій, виміру, магнітної, мікроелектронний, індукції

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені магніточутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом магніточутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід магніточутливого...

Номер патенту: 40238

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 27/14

Мітки: мікроелектронний, освітленості, вимірювач

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач освітленості, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені оптичночутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом оптичночутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід оптичночутливого  тунельно-резонансного діода...

Номер патенту: 40237

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H04R 19/00, G01L 9/04

Мітки: мікроелектронний, виміру, тиску, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру тиску, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що введені тензочутливий тунельно-резонансний діод, пасивна індуктивність і конденсатор, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом тензочутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід тензочутливого тунельно-резонансного діода...

Номер патенту: 40236

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01K 7/01

Мітки: мікроелектронний, вимірювач, температури

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач температури, який містить джерело постійної напруги і резистор, який відрізняється тим, що в нього введені термочутливий тунельно-резонансний діод, конденсатор і пасивна індуктивність, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, першим виводом конденсатора і першим виводом термочутливого тунельно-резонансного діода, а другий вивід термочутливого тунельно-резонансного діода...

Номер патенту: 40299

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01K 7/16, G01K 7/00, G01K 7/34 ...

Мітки: мікроелектронний, виміру, пристрій, температури

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій виміру температури, який містить джерело постійної напруги, генератор електричних коливань на основі двох термочутливих біполярних транзисторів, чотирьох резисторів і двох ємностей, який відрізняється тим, що в нього введено третій термочутливий біполярний транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід...

Номер патенту: 40298

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H03B 7/00

Мітки: електричних, генератор, коливань

Формула / Реферат:

Генератор електричних коливань, який містить біполярний транзистор, ємність і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені другий і третій біполярні транзистори, друга і третя ємність, перший, другий, третій і четвертий резистори, друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою...

Номер патенту: 34250

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Ковальчук Олександр Миколайович, Семеренко Михайло Михайлович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01P 1/18

Мітки: напівпровідниковий, нвч, фазообертач

Текст:

...2, до стоку якого підключено резистор навантаження 3. Перший затвор польового транзистора 2 з'єднаний з емітером біполярною транзистора 4, живлення якого здійснюється через розділяючу індуктивність 5, яка послідовно з'єднана з джерелом напруги 6, паралельно якому підключена розділяюча ємність 7. В базу біполярного транзистора включено резистор 8, який регулює величину струму емітерного кола біполярного транзистора. Колектор біполярного...

Номер патенту: 34249

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Семеренко Михайло Михайлович, Ковальчук Олександр Миколайович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H03B 7/00

Мітки: коливань, генератор, електричних, напівпровідниковий

Текст:

...повного опору на електродах стік польового транзистора і виток двозатворного польового транзистора. На фігурі подано схему напівпровідникового генератора електричних коливань. Пристрій містить двозатворний польовий транзистор 1, який через резистор 2 з'єднаний із стоком польового транзистора 3 через індуктивність 4 і конденсатор 5, який паралельно підключений до першого джерела напруги 6. Перший і другий затвори польового транзистора...

Номер патенту: 34244

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Олена Володимирівна

МПК: H04R 19/00

Мітки: тиску, напівпровідниковий, пристрій, виміру

Текст:

...транзисторів 3 і 4. Затвор польового транзистора 4 з'єднаний із стоком польового транзистора 3 через резистор 5 і тензодіод 6. Витоки польових транзисторів 3 і 4 з'єднані між собою. Паралельно стокам польових транзисторів 3 і 4 підключено послідовне коло, яке складається із пасивної індуктивності 7 і конденсатора 8 разом із другим джерелом напруги 9. Вихід пристрою утворений стоком польового транзистора 3 і загальною шиною. Напівпровідниковий...

Номер патенту: 33405

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Кравчук Наталія Сергійовна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01K 7/00

Мітки: вимірювач, температури, напівпровідниковий

Текст:

...на пере творення температури в частоту у запропонованому, причому затвор першого польового транзистора через термочуїливий опір з'єднаний з пертим полюсом першого джерела напруги, а другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із стоком другого польового транзистора, при цьому витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзис тора з'єднаний із стоком першого польового транзистора, до якого...

Номер патенту: 33404

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Кравчук Наталія Сергійовна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01K 7/00, G01K 7/16, G01K 7/34 ...

Мітки: температури, вимірювання, пристрій

Текст:

...на випромінювання, випромінювання на частоту у відомому пристрої на пряме перетворення температури в частоту у запропонованому, причому затвор першого польового транзистора через обмежувальний резистор з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із стоком другого польового транзистора, при цьому витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого...

Номер патенту: 33403

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Білоконь Наталія Леонідовна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01L 7/00

Мітки: виміру, тиску, пристрій

Текст:

...джерела напруги з'єднаний із стоком другого по льового транзистора, витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзистора з'єднаний із стоком першого польового транзистора, до якого підключена перша вихідна клема та перший ви від пасивної індуктивності, другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, другий вивід...

Номер патенту: 33402

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Тарновський Микола Генадійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Розумовський Петро Борисович

МПК: G02B 27/00

Мітки: швидкодіючий, перетворювач, оптичних, сигналів

Текст:

...вивід джерела монохроматичного випромінювання першої довжини хвилі 13 підключений до загальної шини 20, а другий вивід через резистор 6 підключений до позитивного полюсу джерела живлення 10 і через резистор 7 до виходу формувача 12. Джерело монохроматичного випромінювання першої довжини хвилі 13 оптично з'єднано з польовим фототранзистором 1 через волоконно-оптичну лінію зв'язку 18. Від'ємний полюс джерела живлення 10 підключений до...

Номер патенту: 33118

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Елена Володимирівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 5/00

Мітки: напівпровідниковий, датчик, вологості

Текст:

...введена пасивна індуктивність, друге джерело постійної напруги живлення, резистор і конденсатор, причому затвор першого польового транзистора через обмежувальний резистор з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із стоком другого польового транзистора, витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзистора з'єднаний із стоком першого...

Номер патенту: 33120

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Елена Володимирівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/00

Мітки: вимірювання, вологості, пристрій

Текст:

...з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, затвор другого польового транзистора до якого підключена перша вихідна клема, через підключені паралельно один одному другий резистор і другий чутливий до вологи конденсатор з'єднаний із стоком першого польового транзистора, витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, перший вивід пасивної індуктивності підключений до стоку першого польового транзистора,...

Номер патенту: 33119

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Елена Володимирівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H04R 19/00

Мітки: напівпровідниковий, електростатичний, мікрофон

Текст:

...транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзистора, паралельно стоку і витоку якого підключено другий чутливий до тиску конденсатор, з'єднаний із стоком першого польового транзистора, до якого підключена перша вихідна клема та перший вивід пасивної індуктивності, другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, другий вивід конденсатора з'єднаний з...

Номер патенту: 24474

Опубліковано: 21.07.1998

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Олена Володимирівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H03C 3/00

Мітки: керований, гармонійних, оптично, коливань, генератор

Формула / Реферат:

Оптически управляемый генератор гармонических колебаний, содержащий управляемый источник оптического излучения, волоконно-оптическую линию для передачи излучения, индуктивность, биполярный фототранзистор электрически связанный с управляемым источником постоянного напряжения, отличающийся тем, что в него введены полевой фототранзистор, резистор и конденсатор, причем исток полевого фототранзистора соединен с эмиттером биполярного...