Притула Ігор Михайлович

Номер патенту: 115640

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Долженкова Олена Федорівна, Притула Ігор Михайлович, Безкровна Ольга Миколаївна, Костенюкова Олена Ігоревна, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 7/00

Мітки: кристалів, калію, дигідрофосфату, допованих, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію, який включає приготування розчину солі дигідрофосфату калію, додавання домішки амінокислоти L-аргінін у розчин, виготовлення та встановлення затравки, заливку розчину у кристалізатор, вирощування кристала при реверсивному перемішуванні розчину 60-80 об./хв, який відрізняється тим, що домішку додають у розчин в концентрації 0,3-1,4 мас. %, а вирощування кристала ведуть методом...

Номер патенту: 78036

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Безкровна Ольга Миколаївна, Маслов Вячеслав Васильович, Притула Ігор Михайлович, Плаксій Анна Геннадіївна, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: H01S 3/16

Мітки: матриці, активного, спосіб, лазерного, основі, середовища, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання активного лазерного середовища на основі SiO2 матриці, що включає приготування при кімнатній температурі розчину з компонентів - тетраметоксисилану, метанолу, формаміду, азотної кислоти і води при перемішуванні, введення барвника з наступним перемішуванням, переливання отриманого розчину в герметичні контейнери, його нагрівання і сушіння, який відрізняється тим, що приготування розчину проводять при наступному мольному...

Номер патенту: 70409

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Косінова Анна Володимирівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Гайворонський Володимир Ярославович, Притула Ігор Михайлович, Копиловський Максим Андрійович, Колибаєва Марія Іванівна, Безкровна Ольга Миколаївна

МПК: C30B 7/00, G02F 1/35

Мітки: легованих, спосіб, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів KDP, легованих наночастинками ТіО2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм, які вводять у розчин KDP у вигляді суспензії в концентрації 10-4-10-5 мас. %, що включає підготовку кристалізатора, приготування розчину солі КН2РО4 та його фільтрацію, виготовлення та встановлення затравки, підготовку домішки, перегрівання розчину впродовж доби, заливку розчину у кристалізатор, додавання домішки у розчин, вирощування...

Номер патенту: 49798

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Гайворонський Володимир Ярославович, Косінова Анна Володимирівна, Колибаєва Марія Іванівна, Притула Ігор Михайлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Копиловський Максим Андрійович

МПК: C30B 7/00, G02F 1/35

Мітки: основі, монокристалічного, нелінійно-оптичний, матеріал

Формула / Реферат:

Нелінійно-оптичний матеріал на основі монокристалічного KDP, що містить домішку, який відрізняється тим, що як домішки матеріал містить нанокристали ТіO2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм у концентрації 10-4-10-5 мас. %.

Номер патенту: 44136

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чирва Людмила Артемівна, Колибаєва Марина Іванівна, Васильчук Валентина Григорівна, Сало Віталій Іванович, Притула Ігор Михайлович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14

Мітки: вирощування, спосіб, калію, дигідрофосфату, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів дигідрофосфату калію (КДР), що включає приготування первинного водного розчину солі дигідрофосфату калію і кристалізацію на затравку, який відрізняється тим, що затравку вирізують паралельно площині (001), а процес вирощування кристала проводять при температурі 80 - 90°С уздовж напрямку [001].