Патенти з міткою «дигідрофосфату»

Номер патенту: 114692

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Юрченко Антон Миколайович, Воронов Олексій Петрович

МПК: C30B 7/04, C30B 7/00, C30B 29/14 ...

Мітки: орієнтованих, монокристалів, спосіб, літію, вирощування, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату, що включає приготування вихідного водного розчину літію дигідрофосфату з ортофосфорною кислотою, підготування та встановлення в ростовій камері затравки, заповнення кристалізатора вихідним розчином, доведення вихідного розчину до стану насичення, вирощування монокристала при постійному відносному пересиченні, який відрізняється тим, що у готовому вихідному водному розчині...

Номер патенту: 115640

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Безкровна Ольга Миколаївна, Притула Ігор Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Костенюкова Олена Ігоревна, Долженкова Олена Федорівна

МПК: C30B 7/00

Мітки: калію, допованих, кристалів, вирощування, спосіб, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію, який включає приготування розчину солі дигідрофосфату калію, додавання домішки амінокислоти L-аргінін у розчин, виготовлення та встановлення затравки, заливку розчину у кристалізатор, вирощування кристала при реверсивному перемішуванні розчину 60-80 об./хв, який відрізняється тим, що домішку додають у розчин в концентрації 0,3-1,4 мас. %, а вирощування кристала ведуть методом...

Номер патенту: 102936

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Маковеєв Володимир Іванович, Маковеєв Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: зародкового, розрощування, спосіб, дигідрофосфату, групи, монокристалів, кристалу, калію, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб розрощування зародкового кристала для вирощування великогабаритних монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає виготовлення і підготовку зародкових кристалів орієнтації типу (101), заливку розчину стехіометричного складу (рН~4), процес розрощування паралельно кристалографічній площині (101), уздовж кристалографічної осі z, припинення процесу розрощування при формуванні загального приросту над зародковими кристалами, злив...

Номер патенту: 100129

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Тарарак Едуард, Стонанс Ілмарс, Андрєєва Єлєна

МПК: A61K 31/205, A61P 9/00, A61P 9/10 ...

Мітки: 3-(2,2,2-триметилгідразинію, атеросклерозу, застосування, гідрофумарату, профілактики, пропіонату, дигідрофосфату, лікування

Формула / Реферат:

1. Застосування солі 3-(2,2,2-триметилгідразинію) пропіонату, вибраної з групи, що містить дигідрофосфат і гідрофумарат, для виготовлення препарату для профілактики та/або лікування атеросклерозу.2. Застосування за п. 1, в якому сіль 3-(2,2,2-триметилгідразинію) пропіонату є дигідрофосфатом 3-(2,2,2-триметилгідразинію) пропіонату.3. Застосування за п. 1, в якому сіль 3-(2,2,2-триметилгідразинію) пропіонату є гідрофумаратом...

Номер патенту: 96896

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Воронов Олексій Петрович, Сало Віталій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Бабенко Галина Миколаївна

МПК: G01T 1/202

Мітки: сцинтиляційний, монокристала, основі, дигідрофосфату, калію, матеріал, детектор

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що додатково активований церієорганічним комплексом з коефіцієнтом когерентної спряженості від  до , причому концентрація церію (Се) в монокристалі складає від 0,01 до 0,001 мас. %.2. Сцинтиляційний...

Номер патенту: 96894

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович, Сало Віталій Іванович

МПК: G01T 1/202

Мітки: сцинтиляційний, дигідрофосфату, матеріал, монокристала, амонію, детектор, основі

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату амонію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату амонію додатково активований талієм, причому концентрація активатора в монокристалі складає від 0,1 до 1,0 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала дигідрофосфату...

Номер патенту: 96893

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович

МПК: G01T 1/20

Мітки: калію, матеріал, сцинтиляційний, основі, монокристала, дигідрофосфату, детектор

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату калію додатково активований талієм (Тl), причому концентрація активатора Тl в монокристалі складає від 0,01 до 0,1 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала...

Номер патенту: 96653

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович, Маковеєв Володимир Іванович, Маковеєв Олександр Володимирович, Сало Віталій Іванович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14, C30B 35/00 ...

Мітки: групи, калію, пристрій, дигідрофосфату, монокристалів, спосіб, орієнтованих, вирощування, здійснення

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає підготовку первинного розчину, підготовку та установку на платформі в ростовій камері зародка, вирощування кристала методом рециркуляції розчинника, який відрізняється тим, що у первинний розчин додатково вводять іони заліза з концентрацією 1,0·10-4-3,0·10-4 мас. %, як зародок використовують пласкопаралельну пластину, вирізану з об'ємного кристала таким...

Номер патенту: 96501

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Воронов Олексій Петрович, Маковеєв Олександр Володимирович, Сало Віталій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Маковеєв Володимир Іванович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: калію, вирощування, групи, монокристалів, дигідрофосфату, орієнтованих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає підготовку первинного розчину, підготовку та установку в ростову камеру на платформі зародка, наповнення кристалізатора розчином, вирощування кристала, який відрізняється тим, що концентрація мікродомішок в первинному розчині складає не більше ніж 5,0·10‑5 мас. %, як зародок використовують пласкопаралельну пластину, вирізану з об'ємного кристала таким...

Номер патенту: 44136

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Сало Віталій Іванович, Васильчук Валентина Григорівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чирва Людмила Артемівна, Колибаєва Марина Іванівна, Притула Ігор Михайлович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: дигідрофосфату, монокристалів, вирощування, спосіб, калію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів дигідрофосфату калію (КДР), що включає приготування первинного водного розчину солі дигідрофосфату калію і кристалізацію на затравку, який відрізняється тим, що затравку вирізують паралельно площині (001), а процес вирощування кристала проводять при температурі 80 - 90°С уздовж напрямку [001].

Номер патенту: 22936

Опубліковано: 05.05.1998

Автори: Абарбарчук Леонід Михайлович, Копілевич Володимир Абрамович

МПК: C01B 25/32

Мітки: стронцію, одержання, спосіб, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання дигідрофосфату стронцію, що включає взаємодію карбонату стронцію та фосфорної кислоти та видалення цільового продукту, який відрізняється тим, що взаємодію ведуть при стехіометричному співвідношенні реагентів в одну стадію з упарюванням реакційної маси і її сушінням до одержання кінцевого продукту.

Номер патенту: 10513

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Колибаєва Марія Іванівна, Соловйов Віктор Давидович, Сало Віталій Іванович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/14

Мітки: монокристалів, спосіб, термообробки, радіаційно-пошкоджених, калію, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата ка­лия путем разогрева, изотермической выдержки и охлаждения со ступенчатым снижением скорости нагрева при температуре, приближающейся к тем­пературе фазового перехода в кристалле, отлича­ющийся тем, что перед нагревом монокристалл плотно обматывают по всем поверхностям не менее чем тремя слоями металлической фольги со сте­пенью черноты 0,06-0,09, разделенными между...