Терейковська Ольга Федорівна

Номер патенту: 16595

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Карпова Ангеліна Петрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Терейковська Ольга Федорівна

МПК: H01L 21/28

Мітки: індекс, кристалів, шарів, типу, напівпровідних, контактних, поверхні, створення, оптичних, спосіб, b(верхній, а(верхній

Формула / Реферат:

Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа АIIВVI, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20-30 мин при...

Номер патенту: 16739

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Файнер Михайло Шайович, Терейковська Ольга Федорівна, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C30B 29/50, C03B 11/02

Мітки: кристалів, сполук, спосіб, одержання, аiiвvi

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.