Кобзар-Зленко Валентин Андрійович
Спосіб одержання багатокомпонентних фторидів
Номер патенту: 19567
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Комарь Віталій Корнійович, Нестеренко Юрій Олександрович, Іванов Микола Петрович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович
Мітки: багатокомпонентних, фторидів, одержання, спосіб
Формула / Реферат:
1. Способ получения многокомпонентных фторидов, включающий смешивание фторидов исходных металлов во фторирующей атмосфере и нагрев полученной смеси, отличающийся тем, что смешивание осуществляют в водной среде при температуре 100-150°С.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешивание осуществляют во фторопластовых емкостях.
Спосіб одержання оптично прозорих кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 16736
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович
МПК: C30B 29/48, C30B 33/00
Мітки: одержання, кристалів, прозорих, спосіб, селеніду, цинку, оптично
Формула / Реферат:
Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их нагрев в печи, отличающийся тем, что, с целью снижения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последовательно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, причем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...
Спосіб одержання кристалів селениду цинку
Номер патенту: 16716
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кулик Валерій Миколайович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович
МПК: C30B 11/02, C30B 29/48
Мітки: цинку, селеніду, одержання, спосіб, кристалів
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллов селенида цинка, включающий загрузку в графитовый контейнер исходного материала, плавление его в компрессионной печи и кристаллизацию в условиях градиента температуры при избытке давления инертного газа, не превышающего кристаллизационное давление, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 3,2- 10' см' на длине волны 10,6 мкм, предварительно...
Спосіб одержання кристалів сполук аіівvі
Номер патенту: 16739
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Файнер Михайло Шайович, Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Терейковська Ольга Федорівна
МПК: C30B 29/50, C03B 11/02
Мітки: спосіб, сполук, аiiвvi, одержання, кристалів
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.
Спосіб одержання кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 16677
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Кулик Валерій Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович
МПК: C30B 29/48, C30B 11/02
Мітки: кристалів, спосіб, цинку, селеніду, одержання
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллов селенида цинка, включающий сплавление исходных компонентов в графитовом тигле и выращивание кристаллов под давлением инертного газа в градиенте температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элементов, исходный селенид цинка предварительно очищают путем кристаллизации из раствора в расплаве хлорида калия и (или) натрия и...
Спосіб одержання кристалів халькогенидів типу a-ii b-vi
Номер патенту: 11188
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Файнер Михайло Шаєвич, Іванов Микола Петрович, Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович
МПК: C30B 29/50, C30B 29/48, C30B 11/02 ...
Мітки: одержання, типу, кристалів, спосіб, халькогенідів
Формула / Реферат:
(57) Способ получения кристаллов халькогенидов типа A||BVI, где A|| - металл, a BVI -халькоген, включающий термообработку исходного соединения в атмосфере дезоксидирующего газа и выращивание кристаллов направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что в качестве дезоксидирующего используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом при 850 - 950°С, а термообработку ведут при...
Спосіб одержання вольфраматів або молібдатів цинку чи кадмію
Номер патенту: 5673
Опубліковано: 28.12.1994
Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Іванов Микола Петрович
МПК: C01G 41/00, C01G 39/00
Мітки: вольфраматів, цинку, кадмію, одержання, молібдатів, спосіб
Формула / Реферат:
Способ получения вольфраматов или молибдатов цинка или кадмия, включающий смешение триоксида вольфрама или молибдена с оксидом цинка или кадмия и нагрев полученной смеси, отличающийся тем, что перед смешением триоксид вольфрама или молибдена растворяют в водном растворе гидроксида аммония, оксид или гидроксид цинка или кадмия - в водном растворе нитрата аммония и, нагрев полученного после смешения раствора ведут при температуре кипения в...
Спосіб одержання германату вісмуту
Номер патенту: 3781
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Іванов Микола Петрович, Нагорна Людмила Лаврентіївна
МПК: C01G 29/00, C01G 17/00
Мітки: одержання, спосіб, вісмуту, германату
Формула / Реферат:
Способ получения германата висмута, включающий смешивание соединений германия и висмута и термообработку полученной смеси в тигле, отличающийся тем, что в качестве соединения германия используют германат щелочного металла, в качестве соединения висмута - нитрат-хлорид или сульфат висмута, а термообработку ведут при 300-900°С в течение 0,5-1,5 ч.