Патенти з міткою «аiiвvi»

Номер патенту: 95417

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Стрельніков Микола Іванович, Соболєв Олександр Вікторович, Тавровський Ігор Ігорович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: монокристалів, вирощування, пристрій, аiiвvi, групи

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи АІІВVI, що містить вузли переміщення тигля й тепловий вузол, пристрій відображення інформації й логічний блок, при цьому вузол переміщення, зв'язаний через водоохолоджуваний шток і черв'ячну передачу із двигуном вертикального переміщення тигля, з'єднаний із блоком управління двигуном і відліковим пристроєм - енкодером величини переміщення штока, тепловий вузол містить регулятор потужності...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Воронкін Євгеній Федорович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Стрельніков Сергій Миколайович

МПК: C30B 15/20

Мітки: групи, монокристалів, пристрій, вирощування, аiiвvi

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/04

Мітки: пружною, бар'єрних, створенні, приповерхневого, аiiвvi, хвилею, електричних, спосіб, групи, легування, напівпровідникових, елементами, структур, аiii, сполук

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович

МПК: H01L 31/0264, C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційний, сполук, основі, одержання, аiiвvi, спосіб, напівпровідниковий, матеріал

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Номер патенту: 16739

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Файнер Михайло Шайович, Терейковська Ольга Федорівна, Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C30B 29/50, C03B 11/02

Мітки: кристалів, сполук, спосіб, аiiвvi, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.