C30B 29/50 — сульфід кадмію

Номер патенту: 5885

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Федоренко Андрій Юрійович, Герасименко Віктор Григорович, Мерзлов Сергій Віталієвич

МПК: G21F 9/00, C30B 29/50

Мітки: природними, спосіб, показників, адсорбції, кадмію, визначення, мінералами

Формула / Реферат:

Спосіб визначення показників адсорбції кадмію природними мінералами, що включає дослідження сорбційних властивостей природних мінералів, який відрізняється тим, що проводять культивування мінералів при температурі тіла живих організмів впродовж різних проміжків часу в середовищах з регламентованою концентрацією кадмію, рН яких відповідає реакції шлунково-кишкового каналу різних видів сільськогосподарських тварин і птиці.

Номер патенту: 18649

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Шевчук Олеся Сергіївна, Непорожній Вадим Вадимович, Конопальцева Людмила Іванівна, Іщенко Ельвіна Дмитрівна, Шевчук Юрій Васильович

МПК: C30B 29/50, C30B 25/00

Мітки: пристрій, сполук, основі, плоских, хвилеводів, вирощування

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания плоских волноводов на основе соединений A2B6 методом паровой эпитаксии, содержащее горизонтальную трубчатую кварцевую камеру, снабженную штуцерами для подачи и отвода инертного газа, внутри которой соосно расположены трубы, закрепленные на противоположных торцах камеры и имеющие раструбы в ее средней части, испарители исходных компонентов, размещенные внутри труб, и наружные нагреватели, образующие три зоны нагрева,...

Номер патенту: 16739

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович, Терейковська Ольга Федорівна, Файнер Михайло Шайович

МПК: C03B 11/02, C30B 29/50

Мітки: сполук, одержання, спосіб, кристалів, аiiвvi

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.

Номер патенту: 11188

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Файнер Михайло Шаєвич, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Іванов Микола Петрович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 29/50, C30B 11/02, C30B 29/48 ...

Мітки: типу, халькогенідів, одержання, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

(57) Способ получения кристаллов халькогенидов типа A||BVI, где A|| - металл, a BVI -халькоген, включающий термообработку исходного соединения в атмосфере дезоксидирующего газа и выращивание кристаллов направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что в качестве дезоксидирующего используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом при 850 - 950°С, а термообработку ведут при...