Файнер Михайло Шайович

Номер патенту: 16670

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Файнер Михайло Шайович, Тіман Беніамін Липович

МПК: B01D 7/02, H01L 41/00

Мітки: основі, сполук, спосіб, одержання, п'езонапівпровідникового, матеріалу

Формула / Реферат:

Способ получения пьезополупроводникового материала на Основе соединений АIIВIV, включаю­щий выращивание кристаллических образцов, их отжиг в парах элемента VI группы, входящего в состав материала, нанесение на поверхность об­разца слоя акцепторной примеси элемента I груп­пы и повторный отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения темнового удельного сопро­тивления и расширения диапазона рабочей тем­пературы, повторный отжиг ведут при...

Номер патенту: 16739

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Терейковська Ольга Федорівна, Файнер Михайло Шайович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C30B 29/50, C03B 11/02

Мітки: аiiвvi, сполук, кристалів, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Файнер Михайло Шайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/46

Мітки: цинку, селеніду, термообробки, спосіб, елементів, оптичних

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.