Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів а iv b vi на слюді

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів АIV ВIV на слюді методом газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що як підкладки використовують сколи (0001) слюди-мусковіту, на яких ростуть орієнтовані площинами {111} нанокристалічні тетраедри. (19) (21) u200512235 (22) 19.12.2005 (24) 15.11.2006 (46) 15.11.2006, Бюл. №11, 2006р. (72) Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович, Матеїк Галина Дмитрівна (73) ПРИКАРПАТСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ВАСИЛЯ СТЕФАНИКА 3 18236 чних площин монокристалу підкладки. Кристалографічна орієнтація поверхні монокристалічної підкладки і її температура, а також параметри газодинамічного потоку пари визначають процеси зародження, ріст і орієнтацію нанокристалічних структур. Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів здійснюють таким чином. Використовують циліндричну камеру із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої розміщений випарник із наважкою матеріалу, а монокристалічну підкладку із заданою орієнтацією поверхні (hkl) розміщують вздовж стінок камери. Всю систему поміщають у вакуумну установку і здійснюють технологічний процес. Приклад конкретного використання На Фіг.1 зображена схема камери отримання нанокристалів з газодинамічного потоку пари (а) і розподіл температури вздовж її стінок (б). Спосіб отримання нанокристалів здійснюється таким чином. Використовують циліндричну камеру із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої розміщений випарник із наважкою напівпровідникового матеріалу, а монокристалічну підкладку, наприклад, сколи слюди по площині (0001), розміщують паралельно осі циліндра біля Комп’ютерна верстка М. Ломалова 4 стінок ампули. Всю систему поміщають у вакуумну установку і здійснюють технологічний процес. Градієнт температури вздовж стінок ампули створює напрямлений газодинамічний потік пари із розподіленими параметрами: швидкістю, густиною, температурою, пересиченням. При цьому на деякій ділянці ампули від початкового перерізу х=0 до критичного х=xкр пара не буде конденсуватися. Значенню xкр відповідає критична температура Ткр. В області, близькій до xкр, із потоку пари, що наближена до насичення (точка роси) будуть формуватися на підкладці окремі чітко орієнтовані відносно її поверхні нанокристали у вигляді тетраедрів. Ріст тетраедрів відбувається за механізмом «паркристал» шляхом багатопозиційного зародження паралельних, антипаралельних (двійникових, симетрично орієнтованих) структур, а також нанокристалів повернутих один відносно іншого на кут 30°. На Фіг.2 зображені варіанти спряжених двовимірних сіток слюди (0001) і SnTe (111). Тут 1 - іони слюди, 2 - іони олова, 3 - іони телура. Такий ріст нанокристалічних тетраедрів пов'язаний з тим, що в площині (0001) слюди є три симетричні напрямки 120°. Підписне 1120 , розміщених під кутом Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601