Спосіб отримання плівок pвte

Спосіб отримання плівок РЬТе шляхом нагріву підкладки до температури Tn=400-600 K, випаровуванні вихідної речовини РЬТе при Te=820 K, нагріві стінок камери до Тс=850 К, відрізняється тим, що вирощені плівки витримують в атмосфері кисню на протязі 0,5 год при тиску Р о = (10'1 -10) Па і піддають термічній обробці у вакуумі при -600 К протягом 1,2 год. Винахід відноситься до технології напівпровідникових матеріалів І може бути застосований в приладобудуванні, термоелектриці, оптоелектроніці. Халькогенідні напівпровідники групи А^В 7 1 : • РЬТе, PbSe, тверді розчини PbTe-SnTe, PbTePbSe, що використовуються як термоелектричні матеріали, отримують у вигляді моно- чи полікристалів з розплаву або з газової фази (Анатычук Л И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Справочник. - Киев1 Наукова думка. -1979. 768 с ) . Однак, ці способи їх отримання складні, до* роп,, не дозволяють плавно керувати електричними і термоелектричними параметрами. Найбільш близьким до запропонованого винаходу є спосіб отримання плівок РЬТе шляхом нагріву підкладки до температури Тп=400-600 К, випаровуванні вихідної речовини РЬТе при температурі Т 8 -820 К, нагріві стінок камери до Тс=850 К (Фреик Д.М., получение пленок соединений А^В^ 1 с заданными параметрами методами кваэиэамкнутого объема// Изв. АН СССР Неорган, материалы. -1982. -Т. 18* -№ 8. -С 1237-1248). Однак, даний спосіб не дозволяє отримувати плівковий матеріал з заданими термоелектричними параметрами в зв'язку з особливостями його структури. В основу винаходу поставлене завдання створити спосіб отримання плівок РЬТе, в якому при витримці в атмосфері кисню і наступній термічній обробці у вакуумі можна одержати матеріал з високими термоелектричними властивостями. Поставлене завдання вирішується тим, що в способі отримання плівок РЬТе шляхом нагріву підкладки до температури Т п =400-в00 К. випаровуванні вихідної речовини РЬТе при температурі Тв-В20 К. нагріві стінок камери до Т с =850 К, згідно винаходу, вирощені лпівки витримують в атмосфері кисню на протязі 0,5 год при тиску Р Ог =(10'' - 10) Па, а також піддають термічній обробці у вакуумі при -600 К протягом -1,2 год Експериментально встановлено, що адсорбція поверхнею плівок кисню і утворення потенціальних бар'єрів на границі кристалітів ведуть до аномально високих значень термо-е р.с. та зростання термоелектричної потужності. На кресленні зображена залежність термоелектричної потужності (а2о) витриманих у кисню плівок РЬТе від часу їх термічного відпалу у вакуумі. Спосіб отримання плівок РЬТе (метод гарячої стінки) здійснюють таким чином. Як вихідну речовину використовують РЬТе, яку випаровують при температурі Тв-820 К, стінки реактора нагрівають до Тс=850 К, а підкладку - до Tn=400-600 K, вирощені плівки витримували в атмосфері кисню на протязі 0,5 год при тиску Р О ї = ( Ю 1 - 10) Па, а також піддавали термічній обробці у вакуумі при -600 К протягом -1,2 год. Приклад конкретного виконання. Плівки РЬТе вирощували з парової фази методом гарячої стінки. Осадження пари здійснювали на свіжі сколи {0001} слюди-московіт. Температура випарника складала Тв=820 К, стінок камери Тс=850 К, підкладок Tn=400-600 K. Швидкість росту плівок була -3 нм с-1, а їх товщина 1-2 мкм. Вирощені плтки витримували в атмосфері кисню О) о CM in со о> 35209 на протязі 0,5 год при тиску P O j =(10' -10) Па, а також піддавали наступній термічній обробці у вакуумі 600 К протягом -1,2 год. Термоелектричні властивості плівок визначалися компенсаційним методом у постійних електричних і магнітних полях. Коефіцієнт термо-е.р.с. ' крім того вимірювали термозондом. Плівки характеризувалися мозаїчною структурою з величиною блоків 0,2-0,5 мкм і орієнтовністю (111) [tilj PbTell (0001) [ЮІОІслюди. Тип 10 30 провідності плівок та концентрація носіїв задавалися температурою підкладок та парціальним тиском халькогену в зоні конденсації додатковим випарником з телуром. Як бачимо з креслення, витримка плівок РЬТе в атмосфері кисню і наступна термічна обробка у вакуумі значно покращує їх термоелектричні властивості. Одержані плівки РЬТе можуть використовуватись в приладобудуванні, термоелектриці, оптоелектроніці. 50 Т и р а ж 50 екз. 70 t, хв •"•*.•' Відкрите акціонерне товариство «Патент* Україна, 88000. м. Ужгород, аул. Гагаріна, 101і (03122)3-72-89 (03122)2-57-03