Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів
Номер патенту: 18235
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Лоп'янко Михайло Антонович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович
Формула / Реферат
Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої розміщений випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що використовують монокристалічні підкладки із заданою кристалографічною площиною (h, k, l), де h, k, l - індекси Міллера кристалографічних площин монокристала підкладки поверхні, на якій формуються орієнтовані нанокристали.
Текст
Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів методом осадження газодинамічного потоку пари 3 18235 I - індекси Міллера кристалографічних площин монокристалу підкладки. Кристалографічна орієнтація поверхні монокристалічної підкладки і її температура, а також параметри газодинамічного потоку пари визначають процеси зародження, ріст і орієнтацію нанокристалічних структур. Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів здійснюють таким чином. Використовують циліндричну камеру із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою матеріалу, а монокристалічну підкладку із заданою орієнтацією поверхні (hkl) розміщують вздовж стінок камери. Всю систему поміщають у вакуумну установку і здійснюють технологічний процес. Приклад конкретного використання На Фіг. зображена схема камери отримання нанокристалів з газодинамічного потоку пари (а) і розподіл температури вздовж її стінок (б). Комп’ютерна верстка М. Ломалова 4 Спосіб отримання нанокристалів здійснюється таким чином. Використовують циліндричну камеру із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої розміщений випарник із наважкою напівпровідникового матеріалу, а монокристалічну підкладку, наприклад, сколи слюди по площині (0001), розміщують паралельно осі циліндра біля стінок ампули. Всю систему поміщають у вакуумну установку і здійснюють технологічний процес. Градієнт температури вздовж стінок ампули створює напрямлений газодинамічний потік пари із розподіленими параметрами: швидкістю, густиною, температурою, пересиченням. При цьому на деякій ділянці ампули від початкового перерізу х=0 до критичного х=xкр пара не буде конденсуватися. Значенню xкр відповідає критична температура Ткр. В області, близькій до xкр, із потоку пари, що наближена до насичення (точка роси) будуть формуватися на підкладці окремі чітко орієнтовані відносно її поверхні нанокристали. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for preparing of oriented nanocrystals
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Lopianko Mykhailo Antonovych, Boryk Viktor Vasyliovych
Назва патенту російськоюСпособ получения ориентированных нанокристаллов
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Лопьянко Михаил Антонович, Борик Виктор Васильевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 25/18
Мітки: орієнтованих, отримання, нанокристалів, спосіб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-18235-sposib-otrimannya-oriehntovanikh-nanokristaliv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів</a>
Спосіб отримання орієнтованих трикомпонентних сейсмічних записів
Номер патенту: 12789
Опубліковано: 15.03.2006
Автори: Мегедь Григорій Власович, Жураковська Надія Іванівна, Мармалевський Наум Янкелевич
МПК: G01V 1/40
Мітки: отримання, сейсмічних, записів, трикомпонентних, спосіб, орієнтованих
Формула / Реферат:
Спосіб отримання орієнтованих трикомпонентних сейсмічних записів, що включає збудження коливань на денній поверхні уздовж профілю, заданого через свердловину, їх реєстрацію трикомпонентними зондами довільної орієнтації, обробку даних в системі поляризаційного методу вертикального сейсмічного профілювання (ПМ ВСП) з визначенням параметрів орієнтації зонда у свердловині, який відрізняється тим, що для кожного інтервалу спостережень у...
Спосіб отримання плівок pвte
Номер патенту: 35209
Опубліковано: 15.03.2001
Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Варшава Славомир Степанович, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, pвte, плівок, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання плівок РbТе шляхом нагріву підкладки до температури Tn=400-600 K, випаровуванні вихідної речовини РbТе при Тв=820 К, нагріві стінок камери до Тс=850 К, відрізняється тим, що вирощені плівки витримують в атмосфері кисню на протязі 0,5 год при тиску PO2=(10-1-10) Па і піддають термічній обробці у вакуумі при ~600 К протягом 1,2 год.
Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- i p-типу
Номер патенту: 53854
Опубліковано: 17.02.2003
Автори: Калитчук Іван Васильович, Довгий Олег Ярославович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Дмитрович, Павлюк Любомир Ростиславович
МПК: C30B 11/02
Мітки: тонких, селеніду, спосіб, свинцю, плівок, отримання, p-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- і p - типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі Тв, нагрівання додаткового джерела свинцю до температури Тд, стінок камери – до температури Тс і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 - до температури Тп, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують попередньо синтезовані кристали PbSe, леговані талієм до 0,2 ат.%, які випаровують при...
Спосіб отримання тонких плівок p-pbte із високою анізотропією термо-е.р.с.
Номер патенту: 56447
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Калитчук Іван Васильович, Довгий Олег Ярославович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Рувінський Борис Маркович
МПК: C30B 11/02
Мітки: термо-е.р.с, плівок, p-pbte, тонких, спосіб, отримання, анізотропією, високою
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання тонких плівок р-РbТе з високою анізотропією термо-е.р.с. методом гарячої стінки на відколах монокристалів (111) ВаF2 , що здійснюють шляхом вибору вихідної речовини РbТе, нагріву підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагрівання стінок камери до Тс, при парціальному тиску пари телуру РTe2, який відрізняється тим, що температура випарника Тв = 820 К, стінок реактора Тс = 850 К, підкладок - Тп =...
Спосіб отримання легованих плівок pbse n- i p-типу
Номер патенту: 50176
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Андрій Дмитрович, Довгий Олег Ярославович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Павлюк Любомир Ростиславович
МПК: C30B 11/02
Мітки: плівок, спосіб, легованих, p-типу, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих плівок PbSe n- і р-типу методом випаровування у вакуумі вихідної речовини при ТВ, нагріванням додаткового джерела свинцю до ТД, стінок камери - до ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів BaF2 - до ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані талієм, які випаровують при ТВ=970 К, температура додаткового джерела - ТД=900 К, температура стінок...
Попередній патент: Композиція для виготовлення поліуретанових прес-форм для взуття з поліуретановим низом
Наступний патент: Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів а iv b vi на слюді
Випадковий патент: Спосіб очищення багатокомпонентних стічних вод від важких металів