Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного рbse n -типу
Номер патенту: 19990
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Борик Віктор Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного PbSe n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Se розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, який відрізняється тим, що до вихідних речовин додають вісмут.
2. Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного PbSe n-типу за п. 1, який відрізняється тим, що для отримання кристалів n-типу легування вісмутом здійснюється до 0,5 ат.%.
Текст
1. Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного PbSe n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Se розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, 3 19990 4 сплавів були свинець марки С-000, селен марки потенціометричне у постійних електричних і магніОС4-22-4 та вісмут марки Х4. Елементи сплавляли тних полях. в кварцових ампулах, вакуумованих до 1,33·10Встановлено, що для кристалів PbSe, легова2 Па. Сплави охолоджували протягом декількох діб. них Ві до 0,5ат.% концентрація електронів лінійно Леговані кристали досліджували методами дифезростає із збільшенням вмісту легуючої домішки. ренціально-термічного, рентгенофазового і мікроЦе пов’язано із тим, що Ві - елемент п’ятої групи із структурного аналізів. ДТА проводили на пірометрі конфігурацією валентних електронів 6s 26pз, заміФПК-58, РФА порошків здійснювали на установці щуючи атом плюмбуму з конфігурацією валентних ДРОН-0,5. Електричні властивості досліджували електронів 6s 26р2 є ефективним донором. Комп’ютерна в ерстка Г. Паяльніков Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюProcess for preparation of crystalline рbse of n -type alloyed with bismuth
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Boryk Viktor Vasyliovych, Tkachyk Oksana Volodymyrivna
Назва патенту російськоюСпособ получения легированного висмутом кристаллического рbse n типа
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Борик Виктор Васильевич, Ткачик Оксана Владимировна
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, легованого, типу, кристалічного, спосіб, рbse, вісмутом
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-19990-sposib-otrimannya-legovanogo-vismutom-kristalichnogo-rbse-n-tipu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного рbse n -типу</a>
Спосіб отримання кристалічного pbse n- i p-типу провідності
Номер патенту: 57565
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Андрій Дмитрович, Павлюк Любомир Ростиславович
МПК: C30B 13/00, C30B 11/02
Мітки: кристалічного, спосіб, p-типу, провідності, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання кристалічного PbSe n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...
Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- i p-типу
Номер патенту: 68708
Опубліковано: 16.08.2004
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яцура Анна Михайлівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: селеніду, отримання, спосіб, легованих, p-типу, свинцю, плівок, вісмутом
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- і р-типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі ТВ, нагрівання додаткового джерела до температури ТД, стінок камери до температури ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 до температури ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані вісмутом, які випаровують при ТВ=970 К,...
Спосіб отримання кристалічного pbte n- і p-типу
Номер патенту: 57564
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Яцура Анна Михайлівна, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02, C30B 13/00
Мітки: спосіб, кристалічного, отримання, p-типу
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання кристалічного РbТе n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...
Спосіб отримання легованого cdte:mn n-i p-типу провідності
Номер патенту: 19930
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович
МПК: C30B 11/02
Мітки: легованого, p-типу, cdte:mn, отримання, провідності, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...
Спосіб отримання кристалічного pbs
Номер патенту: 43997
Опубліковано: 15.01.2002
Автори: Калитчук Іван Васильович, Прокопів Володимир Васильович, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович
МПК: C30B 11/02
Мітки: спосіб, кристалічного, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання кристалічного PbS, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації,...
Попередній патент: Процес дослідження механізмів виникнення і розвитку різних форм цукрового діабету
Наступний патент: Спосіб розробки рудних покладів
Випадковий патент: Спосіб мікрохвильового нагріву