Спосіб отримання легованого cdte:mn n-i p-типу провідності

1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см -3. 2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і ртипу провідності за п. 1, який відрізняється тим, що при концентрації Мn (Ммn) до 1019см -3 одержують n-CdTe:Mn з концентрацією електронів Корисна модель відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у приладобудуванні, оптоелектроніці. Телуриди кадмію широко використовуються як детектори іонізуючого випромінювання, активні елементи пристроїв нелінійної оптики [С. Scheiber, G.C. Giakos. Medical applications of CdTe and CdZnTe detectors // Nuclear Instruments and Methods A. - 2001. - 458(1-2). - pp. 12-25]. Синтезовані сполуки отримують сплавлянням компонентів при подальшому двотемпературному відпалі [Физика и химия соединений АIIBVI . - М.: Мир, 1970]. Описані способи не забезпечують отримання матеріалу із наперед заданими властивостями. Найбільш близьким до запропонованої корисної моделі є спосіб отримання сполук АIIBVI, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні, і переміщають у другу зону до здійснення кристалізації, після чого охолоджують до кімнатної температури [Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. - М.: Наука, 1967.-176с]. Однак цей метод, через недостатню керованість процесу, не дозволяє отримати напівпровід никовий матеріал з наперед заданими властивостями. Завданням корисної моделі є створити спосіб одержання сплавів CdTe:Mn, в якому можна отримувати матеріал з наперед заданим типом провідності. Поставлене завдання вирішується тим, що у способі отримання сплавів АIIB VI, який полягає в тому, що вихідн у речовину, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні, і переміщають у другу зону до здійснення кристалізації, після чого охолоджують до кімнатної температури згідно винаходу як вихідну речовину використовують кадмій і телур марок ос. ч., взяті у співвідношенні, що відповідають стехіометричному складу сполуки CdTe і манган, концентрацію легуючої домішки змінювали у межах NMn=1017-1021см -3; нагрів у першій зоні проводять при температурі 1400К, температура другої зони дорівнює 1280К. При концентрації Mn (NMn) до 1019см -3 одержували n-CdTe:Mn з концентрацією електронів n £ 1015 см-3 . Збільшення NMn вище ~ 1019 см -3 призводило до зміни типу провідності матеріалу на р-тип з концентрацією дірок р ~ 1015 см -3. (19) UA (11) 19930 (13) U n £ 1015 см-3 , а збільшення Ммn вище ~1019см -3 - pCdTe:Mn з концентрацією дірок р ~1015 см -3 відповідно. 3 19930 4 Спосіб отримання CdTe:Mn n- і р-типу здійсповідають стехіометричному складу сполуки CdTe нюється таким чином. Як вихідну речовину викоі манган, концентрацію легуючої домішки змінюваристовують хімічні елементи Cd, Те, Mn взяті у ли у межах NMn=1017-1021см -3. Нагрів у першій зоні відповідному співвідношенні. Вихідну речовину, проводять при температурі 1400К, температура розташовану у кварцовій вакуумованій ампулі, другої зони дорівнює 1280 К. При концентрації Mn поміщають у двозонну піч. Температура синтезу (NMn) До 1019см -3 одержували n-CdTe:Mn з конценсполуки дорівнює 1400 К (перша зона), кристалітрацією електронів n £ 1015 см-3 . Збільшення NMn зація відбувається при температурі 1280 К (друга вище ~ 1019см -3 призводило до зміни типу провідзона). ності матеріалу на р-тип з концентрацією дірок р ~ Приклад конкретного виконання 1015см -3. Одержані матеріали можуть використовуЯк вихідну речовину використовують кадмій і ватись у приладобудуванні та оптоелектроніці. телур марок ос. ч., взяті у співвідношенні, що від Комп’ютерна в ерстка Л. Купенко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601