Спосіб отримання легованого вісмутом pbte n- i p-типу
Номер патенту: 19994
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання легованого вісмутом РbТе n- і р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Те розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, який відрізняється тим, що до вихідних речовин додають вісмут.
2. Спосіб отримання легованого вісмутом РbТе n- і р-типу за п. 1, який відрізняється тим, що для отримання кристалів РbТе р-типу із надлишком телуру до 0,3 ат. % легування вісмутом здійснюється до 0,2 ат. %., а n-типу - більше 0,3 ат. % Ві.
Текст
1. Спосіб отримання легованого вісмутом РbТе n- і р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Те розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури 3 19994 другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації. Приклад конкретного виконання. Вихідними матеріалами для приготування сплавів служили свинець марки С-000, телур марки ТВ-4, вісмут - марка Х4. Елементи сплавляли в кварцових ампулах, вакуумованих до 1,33×10-2 Па. Сплави охолоджували протягом декількох діб. Леговані кристали досліджували методами диференціально-термічного (ДТА), рентгенофозового (РФА) і мікроструктурного аналізів. ДТА проводили на пірометрі ФПК-58, РФА порошків здійснювали Комп’ютерна в ерстка Д. Шев ерун 4 на установці ДРОН-0,5. Електричні властивості досліджували потенціометрично у постійних електричних і магнітних полях. Встановлено, що кристали РbТе збагачені телуром до 0,3 ат. % і леговані вісмутом до 0,2 ат. % завжди мають р-тип провідності, а при вмісті вісмуту більше як 0,3 ат. % - тільки n-тип. Це пов'язано з тим, що при надлишку телуру у РbТе вісмут (конфігурація валентних електронів Ві - 6s 2 6р3) розміщуються у катіонній підгратці заміщаючи вакансії плюмбуму (конфігурація валентних електронів Рb - 6s 2 6р2) і проявляє донорні властивості. Це і є причиною формування електронного РbТе при значних концентраціях домішки Ві. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюProcess for preparation of рbте of n- and р-type alloyed with bismuth
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Boryk Viktor Vasyliovych, Mateik Halyna Dmytrivna
Назва патенту російськоюСпособ получения легированного висмутом pbte n- и p-типа
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Борик Виктор Васильевич, Матеик Галина Дмитриевна
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/02
Мітки: вісмутом, отримання, спосіб, легованого, p-типу
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-19994-sposib-otrimannya-legovanogo-vismutom-pbte-n-i-p-tipu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання легованого вісмутом pbte n- i p-типу</a>
Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного рbse n -типу
Номер патенту: 19990
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: легованого, рbse, типу, вісмутом, кристалічного, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного PbSe n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Se розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу...
Спосіб отримання кристалічного pbte n- і p-типу
Номер патенту: 57564
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Яцура Анна Михайлівна, Павлюк Любомир Ростиславович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 13/00, C30B 11/02
Мітки: p-типу, отримання, кристалічного, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання кристалічного РbТе n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...
Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- i p-типу
Номер патенту: 68708
Опубліковано: 16.08.2004
Автори: Яцура Анна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, вісмутом, селеніду, p-типу, плівок, легованих, свинцю, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- і р-типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі ТВ, нагрівання додаткового джерела до температури ТД, стінок камери до температури ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 до температури ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані вісмутом, які випаровують при ТВ=970 К,...
Спосіб отримання твердих розчинів (pbte)1-x (gete)x
Номер патенту: 43998
Опубліковано: 15.01.2002
Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Рувінський Борис Маркович, Іванишин Ірина Мирославівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: розчинів, твердих, отримання, спосіб, gete)x, pbte)1-x
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання твердих розчинів (PbTe)1-х(GeTe)x, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення...
Спосіб отримання твердих розчинів gete-pbte
Номер патенту: 43999
Опубліковано: 15.01.2002
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Шперун Всеволод Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Никируй Любомир Іванович, Борик Віктор Володимирович
МПК: C30B 11/02
Мітки: gete-pbte, твердих, розчинів, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання твердих розчинів GeTe-PbTe, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...
Попередній патент: Спосіб одержання біологічно активної добавки для лікування алкогольної та наркотичної залежності
Наступний патент: Ящик
Випадковий патент: Спосіб неруйнівного контролю механічних характеристик сталей