Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-pbsb2те4

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-PbSb2Te4, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), сурму (Sb), телур (Те) високого класу чистоти (99,999%), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці PbSb2Te4.

Текст

Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-PbSb2Te4, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуу 3 46916 жують у кварцову ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу витримують при цій температурі, потім здійснюють гомогенізаційний відпал, а у подальшому її охолоджують і після чого одержані злитки дроблять і пресують. Приклад конкретного виконання Вихідні компоненти чистоти (99,999%) свинець, сурма і телур. Взяті у вагових співвідношеннях, що відповідають хімічній формулі PbSb2Te4 (Pb=0,22мас.%, Sb=0,25мас.% ,Те=0,53мас.%) завантажують в ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів і яка складає (1070±10) К, витримують при цій температурі на протязі 5 годин, потім здійснюють гомогенізаційний відпал при Комп’ютерна верстка М. Мацело 4 температурі (930±20) К на протязі 3 годин, охолоджують синтезований матеріал на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і пресуюсь. Термоелектричні параметри отриманого таким чином матеріалу при кімнатній температурі мають наступні значення: 36 мкBK 1, 26,1 10 Z 3 0,124 10 2,5 10 3 Oм 1см 1, Вт см 1К 1, 3 K 1, ZT300K 2 3,24 мкВт см 1К 1 0,037 і характеризуються покращеними механічними властивостями. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

method for obtaining of p-pbsb2te4 new thermalelectrical material

Автори англійською

Freik Dmytro Mykhailovych, Horichok Ihor Volodymyrovych, Dykun Natalia Ivanivna

Назва патенту російською

Способ получения нового термоэлектрического материала р-pbsb2те4

Автори російською

Фреик Дмитрий Михайлович, Горичок Игорь Владимирович, Дыкун Наталья Ивановна

МПК / Мітки

МПК: C30B 11/00

Мітки: термоелектричного, спосіб, нового, матеріалу, отримання, р-pbsb2те4

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-46916-sposib-otrimannya-novogo-termoelektrichnogo-materialu-r-pbsb2te4.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-pbsb2те4</a>

Подібні патенти