Патенти з міткою «pb1-xsnxte»
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розинів pb1-xsnxte
Номер патенту: 95348
Опубліковано: 25.12.2014
Автори: Литвин Петро Мар'янович, Литвин Оксана Степанівна, Стратійчук Ірина Борисівна, Копил Олександр Іванович, Томашик Василь Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Маланич Галина Петрівна
МПК: H01L 21/00
Мітки: формування, поверхні, телуриду, спосіб, розинів, плюмбум, pb1-xsnxte, кристалів, полірованої, твердих
Формула / Реферат:
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу p-типу на основі твердих розчинів pb1-xsnxte
Номер патенту: 50157
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Туровська Лілія Вадимівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: спосіб, отримання, матеріалу, твердих, p-типу, pb1-xsnxte, основі, розчинів, термоелектричного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-типу на основі твердих розчинів Pb1-xSnxTe, який полягає в тому, що вихідні речовини свинець, олово і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...
Спосіб одержання епітаксійних шарів pb1-xsnxte
Номер патенту: 80624
Опубліковано: 10.10.2007
Автори: Кондратенко Максим Максимович, Водоп'янов Володимир Миколайович
МПК: C30B 23/02
Мітки: одержання, епітаксійних, pb1-xsnxte, спосіб, шарів
Формула / Реферат:
Спосіб одержання епітаксійних шарів , який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколоту в кристалографічній площині (111) підкладку з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу де...