Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію

Спосіб одержання кристала тюгалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тюгалату кадмію, розплавлення шихти тюгалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1 105-3 105 Па Винахід відноситься до матеріалознавства і може бути використаний у технології вирощування монокристалів тюгалату кадмію, придатних для виготовлення з них робочих елементів пристроїв нелінійної оптики Відомий спосіб одержання кристалу тюгалату кадмію, який включає виготовлення ампули з кварцового скла, розміщення в ній шихти тюгалату кадмію, вакуумування та заварювання ампули, розплавлення та направлену кристалізацію вмісту ампули [1] Недоліком описаного способу є значна імовірність взаємодії шихти тюгалату кадмію з матеріалом ампули, що подекуди спричиняє руйнування ампули та окислення тюгалату кадмію Найближчим за технічною суттю та результатом, який досягається, є спосіб одержання тюгалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнину внутрішньої ампули шихти тюгалату кадмію, вакуумування та герметизацію обох ампул, розплавлення й направлену кристалізацію тюгалату кадмію [2] Використання подвійної ампули зменшує ймовірність контакту тюгалату кадмію з киснем повітря і, ВІДПОВІДНО, його окислення, оскільки навіть при руйнуванні внутрішньої ампули, контакту з киснем повітря за межами зовнішньої ампули не відбувається Одержані описаним способом монокристали в нижній частині, до 60% об'єму від зародка кристалізації, ЯКІСНІ І придатні для використання в нелінійній оптиці, у верхній - мають дефекти, які не допускають такого використання Недоліком описаного способу є недостатній вихід якісного кристала тюгалату кадмію Завданням винаходу є збільшення виходу якісного монокристала тюгалату кадмію Поставлене завдання виконується таким чином, що у відомому способі одержання кристала тюгалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнину внутрішньої ампули шихти тюгалату кадмію, розплавлення шихти тюгалату кадмію та и направлену кристалізацію, згідно з винаходом, внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1-1053-105Па Експериментально встановлено, що при створенні з зовнішнього боку внутрішньої ампули протитиску інертного газу, відносний об'єм якісної частини вирощеного кристала тюгалату кадмію збільшується, що може бути зумовлене, зокрема, запобіганням переносу компонентів шихти тюгалату кадмію через стінки внутрішньої ампули при температурі понад 800°С, тобто при кристалізації тюгалату кадмію Наводимо приклади здійснення запропонованого способу У внутрішню ампулу з плавленого кварцу зі звуженим кінцем з діаметром перерізу порожнини 15мм помістили 15г шихти тюгалату кадмію, після чого ампулу вакуумували, заварили й помістили в порожнину зовнішньої ампули з діаметром поперечного перерізу 22мм Порожнину зовнішньої 00 со (О 61318 ампули спочатку вакуумували, після чого заповнили аргоном під контрольованим тиском Підготовлену таким чином подвійну ампулу з шихтою тіогалату кадмію помістили у вертикально встановлену піч опору, розплавили шихту і провели направлену кристалізацію шляхом повільного переміщення ампули в зону з температурою нижчою за температуру плавлення тіогалату кадмію В таблиці наведені результати проведених процесів вирощування кристалів тіогалату кадмію Таблиця Результати процесів вирощування кристалів тіогалату кадмію Тиск аргону в порожнині зов- Якісна частина № принішньої ампули при гермети- вирощеного крискладу зації Па талу, об % 1 0,8-10' 60 2 1,0-10 75 3 2,0-10' 75 4 3,0-10' 80 5 3,5-10' 80 Комп'ютерна верстка Н Лисенко В аналогічних умовах проведено також вирощування кристала тіогалату кадмію за способомпрототипом Одержано монокристал, якісна частина якого становила 60% Як показали результати проведених процесів, при тискові аргону меншому за 1 • 105Па, ефекту збільшення якісної частини монокристалу в порівнянні зі способом-прототипом не спостерігається Збільшення початкового тиску аргону понад 3-10 5 Па не призводить до збільшення частини якісного кристала, проте може спричинити руйнування зовнішньої ампули при високих температурах Таким чином, застосування запропонованого способу забезпечує збільшення виходу якісного монокристала тіогалату кадмію Джерела інформації 3 К Т Вильке Выращивание кристаллов Ленинград «Недра», Ленинградское отделение 1977, с 275-286 4 Ю В Ворошилов, М И Гурзан, В В Панько, Е Ю Переш, М Ю Риган, Б М Коперлес Получение и некоторые свойства монокристаллов CdGa 2 S 4 Доклады АН УССР, серия Б , №3, с 163165 Підписне Тираж39 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа, 8, м Київ, МСП, 04655, Україна ДП "Український інститут промислової власності", вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119