Спосіб легування телуриду кадмію

Спосіб легування телуриду кадмію, який включає завантаження телуриду кадмію в ростовий контейнер, його відкачку, вміщення в піч і виведення на температурний режим, який відрізняється тим, що одночасно із телуридом кадмію завантажують порошкоподібний галогенід амонію Винахід належить до технології вирощування напівпровідникових матеріалів для потреб електроніки, зокрема матеріалів для виготовлення детекторів рентгенівського і гама-випромінювань Відомий спосіб легування телуриду кадмію, в якому телурид кадмію завантажують в ростовий контейнер, його відкачують, вміщують в піч і виводять на температурний режим [Kunz T , Laasch M , Meinhardt J , Benz KW CdTe and CdTe СІ vapour growth in a semiclosed system // J Cryst Growth 1998 -Vol 184/185, №1-4-P 1005-1009] Однак цей спосіб включає небезпечну операцію синтезу полікристалічного телуриду кадмію з одночасним легуванням галогеном, а саме хлором, яку для цього проводять в ампулах в атмосфері газоподібного і ХІМІЧНО дуже активного хлору, що відносяться для небезпечних для людини речовин В основу винаходу поставлено завдання створити спосіб легування телуриду кадмію, який за рахунок використання нового матеріалу для легування дозволив би уникнути контакту із небезпечними для людини речовинами Поставлене завдання вирішується тим, що у способі легування телуриду кадмію, який включає завантаження телуриду кадмію у ростовий контейнер, його відкачку, вміщення у піч і виведення на температурний режим, згідно з винаходом, одночасно із телуридом кадмію завантажують порошкоподібний галогенід амонію, наприклад його хлорид, бромід або йодид Завантаження у ростовий контейнер порошкоподібного галогеніду амонію дозволяє уникнути контакту з небезпечними для людини речовинами, так як в порошкоподібному галогеніді амонію гало гени знаходяться у звязаному і ХІМІЧНО неактивному стані Спосіб легування телуриду кадмію реалізується так у ростовий контейнер завантажують синтезований телурид кадмію і порошкоподібний галогенід амонію, контейнер відкачують, вміщують в піч, і виводять на температурний режим із заданим градієнтом Як порошкоподібний галогенід використовують хлорид, бромід чи йодид амонію В області робочих температур з порошкоподібного галогеніду амонію галоген переходить в пароподібний стан, що одночасно забезпечує доставку матеріалу в зону осадження і легування монокристалу телуриду кадмію в процесі його росту з рівномірним розподілом галогену в усьому об'ємі Приклад виконання В контейнер завантажують синтезований телурид кадмію і порошкоподібний галогенід амонію, а саме, хлорид амонію Контейнер відкачують до тиску 1 10 3 Па, відпаюють і вміщують в двохсекційну піч Піч З контейнером виводять на температурний режим - температура зони джерела 1000К, температура зони осадження 960К, при градієнті 4 10 К/м При цьому температурному режимі галоген, а саме хлор, з порошкоподібного галогеніду амонію переходить у парову фазу, що дозволяє за умов температурного градієнту забезпечити доставку телуру та кадмію в зону осадження При тривалості росту 50-100 годин виростають монокристали телуриду кадмію рівномірно леговані галогеном - хлором з ЛІНІЙНИМИ розмірами «1см і о л п о концентрацією носив 10 -МО см Аналогічно проводять легування в процесі ро о 00 ю З 58024 4 сту монокристалічного телуриду кадмію бромом та різними (хлор, бром, йод) галогенами, який дозвойодом лив уникнути контакту з небезпечними для людини Таким чином створено спосіб легування моноречовинами та одержати рівномірний розподіл кристалічного телуриду кадмію в процесі росту легуючої домішки в об'ємі монокристалу Комп'ютерна верстка Е Гапоненко Підписано до друку 05 08 2003 Тираж 39 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа, 8, м Київ, МСП, 04655, Україна ТОВ "Міжнародний науковий комітет", вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна