Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії. Винахід відноситься до таких областей приладобудування як космічна техніка, інтегральна мікроелектроніка, біомедична електроніка, зокрема до пристроїв для виробництва електричної енергії і може знайти застосування в різних промислових виробництвах, які потребують нових та ефективних джерел енергії. Сучасні твердоелектролітичні батареї характеризуються питомою густиною енергії порядку 200-300Втхгод/кг, яка майже у 8 разів більша, ніж у свинцевих батарей. На сьогоднішній день їх виробляють такі відомі фірми як Wilson Greatbatch Ltd, Catalyst Research Corp., Union-Carbide і т.д. [1]. Відоме використання у ролі твердоелектролітичного джерела енергії таких матеріалів як йодид-пентатіофосфат міді Cu6PS5I [2]. Недоліком даного матеріалу, попри його технологічність, хімічну стійкість та відносну дешевизну, є недостатньо високе значення іонної електропровідності. Завдання винаходу полягає у виборі такого матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який при таких же як у прототипа техноло гічності, хімічній стійкості та відносній дешевизні, володів би вищим значенням іонної електропровідності. Поставлене завдання досягається таким чином, що використовують відому [3] хімічну сполуку - йодид пентатіогерманат міді Cu7GeS5I вперше у якості матеріалу, що має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності [4], для твердоелектролітичного джерела енергії. З переглянутої літератури застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I не відоме. На Фіг.1 наведено температурну залежність електропровідності кристала Cu7GeS5I. Вимірювання електропровідності σt проводилися на частоті ν=102-104Гц в інтервалі температур 95-370К за методикою та на установці, які описані в [4]. При температурі T=300К та частоті ν=102Гц величина електропровідності складає σt=6.98х100м-1×см -1, енергія активації - ΔEа=0.18еВ. У температурному інтервалі 140-370К залежність (logσt) від (103/T) є лінійною з енергією активації ΔEа=0.18еВ, а при низьких температурах (T