Патенти з міткою «cu7ges5i»

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01T 5/10, G01T 7/02

Мітки: плівки, матеріалу, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, випромінювання, застосування, реєстрації, тонкої, основі, міді, рентгенівського

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: розплаву-розчину, спосіб, кристалізації, cu7ges5i, спрямовано, вирощування, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Гуранич Павло Павлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: матеріалу, міді, cu7ges5i, аморфної, плівки, застосування, енергії, твердоелектролітичного, джерела, основі, йодид-пентатіогерманату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Гуранич Павло Павлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: твердоелектролітичного, міді, основі, матеріалу, аморфної, енергії, плівки, йодид-пентатіогерманату, джерела, cu7ges5i, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: cu7ges5i, йодид-пентатіогерманату, застосування, джерела, матеріалу, твердоелектролітичного, енергії, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, твердоелектролітичного, застосування, міді, йодид-пентатіогерманату, матеріалу, cu7ges5i, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.