Низькочастотний генератор
Номер патенту: 42998
Опубліковано: 15.11.2001
Автори: Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович
Формула / Реферат
Низькочастотний генератор, що містить з'єднані між собою резистори, джерело струму, який відрізняється тим, що резистори виконані у формі «Х»- подібного зростка двох ниткоподібних кристалів Si n-типу з питомим пором » 1,0 Ом×см, а джерело під'єднане до одного з резисторів.
Текст
Низькочастотний генератор, що містить з'єднані між собою резистори, джерело струму, який відрізняє ться тим, що резистори виконані у формі "Х"-подібного зростка двох ниткоподібних кристалів Si n-типу з питомим пором » 1,0 Ом ×см, а джерело під'єднане до одного з резисторів. (19) (21) 2000116355 (22) 10.11.2000 (24) 15.11.2001 (33) UA (46) 15.11.2001, Бюл. № 10, 2001 р. (72) Варшава Славомир Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович 42998 в процесі росту ниткоподібних кристалів Sі. При пропусканні стабілізованого струму I через резистор 1 від джерела 5 (Б5-44А) при його значенні 619 мА, яке фіксували цифровим приладом 6 (В735), і приєднанні резистора 2 до осцилографа 7 (С1-83), спостерігали на його екрані низькочастотні коливання, форма яких наведена на фіг. 2, крива 8. Середня частота коливань » 2 Гц, амплітуда » 200 мВ, імпульси несиметричні, час наростання t1 = 0,35 с, час спаду t 2 =1 с. Коливання носять тепловий характер і легко забезпечуються слабими полями з середньою напруженістю Е=0,3 В/см. Частота коливань на 2 порядки вища, ніж в генератора, описаного в прототипі. Генератор 3 є мініатюрним і простим в конструкції, його маса - декілька міліграм. опором » 1,0 Ом ×см 3, створюють Рt приварні контакти, за допомогою яких складають електричне коло (фіг. 1). Через поздовжній резистор 1 пропускають електричний струм від джерела 5, величину якого вимірюють міліамперметром 6, з кінців резистора 2 знімають генеровані низькочастотні коливання, які спостерігають на осцилографі 7 (фіг. 2). Приклад Збирають електричну схему згідно з фіг. 1. Геометрія і параметри "Х"-подібного зростка 3 такі: довжина резистора 1 (поздовжній кристал) l1 =6,2 мм, резистора 2 (поперечний кристал) l 2 =4 мм, ефективний діаметр 70 мкм; питомий опір r »1,0 Ом ×см, номінали опорів при кімнатній температурі R1=R2»9 кОм; зросток симетричний; кут між резисторами 1 і 2 » 60°. Вузол 4 утворений Фіг. 1 Фіг. 2 2 42998 __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2002 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ __________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 __________________________________________________________ 3
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюLow-frequency generator
Автори англійськоюVarshava Slavomyr Stepanovych, Druzhynin Anatolii Oleksandrovych, Ostrovskyi Ihor Petrovych
Назва патенту російськоюНизкочастотный генератор
Автори російськоюВаршава Славомир Степанович, Дружинин Анатолий Александрович, Островский Игорь Петрович
МПК / Мітки
МПК: H03B 7/00
Мітки: низькочастотний, генератор
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-42998-nizkochastotnijj-generator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Низькочастотний генератор</a>
Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових ниткоподібних кристалів
Номер патенту: 40268
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович
МПК: G01R 31/00
Мітки: напівпровідникових, кристалів, провідності, типу, ниткоподібних, визначення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...
Генератор електричних коливань
Номер патенту: 40298
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: H03B 7/00
Мітки: електричних, коливань, генератор
Формула / Реферат:
Генератор електричних коливань, який містить біполярний транзистор, ємність і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені другий і третій біполярні транзистори, друга і третя ємність, перший, другий, третій і четвертий резистори, друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою...
Напівпровідниковий генератор електричних коливань
Номер патенту: 34249
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Семеренко Михайло Михайлович, Ковальчук Олександр Миколайович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H03B 7/00
Мітки: коливань, електричних, генератор, напівпровідниковий
Текст:
...повного опору на електродах стік польового транзистора і виток двозатворного польового транзистора. На фігурі подано схему напівпровідникового генератора електричних коливань. Пристрій містить двозатворний польовий транзистор 1, який через резистор 2 з'єднаний із стоком польового транзистора 3 через індуктивність 4 і конденсатор 5, який паралельно підключений до першого джерела напруги 6. Перший і другий затвори польового транзистора...
Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів
Номер патенту: 40269
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Буджак Ярослав Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: G01N 25/18
Мітки: визначення, ниткоподібних, термоелектричних, параметрів, кристалів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів, що включає створення точкових контактів до ниткоподібного кристала, пропускання стабілізованого струму розігріву, вимірювання різниці потенціалів між контактами і визначення коефіцієнта термо-е.р.с., який відрізняється тим, що ниткоподібному кристалу надають форму хрестоподібного зростка з двох кристалів, до кінців якого і до середини зростка створюють контакти, а струм...
Генератор імпульсів високої напруги
Номер патенту: 37086
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Серков Олександр Анатолійович, Фоменко Андрій Анатолійович, Щербіна Олександр Анатолійович
МПК: H03K 3/53
Мітки: високої, напруги, імпульсів, генератор
Текст:
...та розрядники розміщені по колу, а самі каскади розміщені один над одним, причому відстань між каскадами генератора L та діаметр кола D у кожному каскаді зв'язані співвідношенням: (13) 37086 На фіг. 1 зображена принципова схема генератора прямокутних імпульсів, а на фіг. 2 схематично зображено розміщення каскадів генератора Аркадьева-Маркса. Генератор прямокутних імпульсів високої напруги має джерело живлення 1, зарядні резистори 2,...
Попередній патент: Спосіб і пристрій для швидкого регулювання потужності енергетичної установки з турбоагрегатом
Наступний патент: Перетворювач змінного струму
Випадковий патент: Композиція для підвищення вогнестійкості конструкцій