Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових ниткоподібних кристалів
Номер патенту: 40268
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Островський Ігор Петрович, Варшава Славомир Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович
Формула / Реферат
Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований електричний струм, створюючи «гарячі» точки, якими є вузли зростка, а для вимірювання знаку потенціалу використовують другу пару контактів на різних відстанях від цих точок.
Текст
Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під'єднання еле 40268 міліамперметром 7, створюючи "гарячі" точки, якими є вузли зростка 3, і створюючи тим самим градієнт температури між точками 3-5, а для вимірювання знаку потенціалу використовують другу пару контактів 5 на різних відстанях від цих точок 3, яку під'єднують до мілівольтметра 8. Приклад конкретного виконання Використовували асиметричний зросток хрестоподібної форми з двох ниткоподібних кристалів Si p-типу 1 і 2 з питомим опором r»0,05 Ом×см. Геометрія зростка слідуюча: довжина однієї частини зростка 1 складала l1=3,75 мм, іншої 2 -l2=2,0 мм; ефективний діаметр Æ=0,1 мм. До кінців зростка методом імпульсного приварювання Pt мікродроту Æ=0,04 мм створюють точкові контакти 4 і 5. Через два протилежні контакти 4 пропускають стабілізований електричний струм від джерела 6 Б5-44А, величину струму вимірюють міліамперметром 7 - цифровий прилад В7-35; другу пару контактів 5, які розташовані на різних відстанях від вузла зростка 3, під'єднують до мілівольтметра 8 цифровий прилад В7-16А (фіг. 1). Змінюючи струм I через струмову вітку (контакти 4) і вимірюючи різницю потенціалів U між контактами 5 потенціометричної вітки зростка, знімають ВАХ структур (фіг. 2, крива 9). Досліджували теж асиметричний зросток хрестоподібної форми кристалів Si n-типу; r»0,1 Ом×см. Геометрія зростка слідуюча: l1=6,5 мм, l2=7,2 мм; Æ1=0,075 мм; Æ2=0,1 мм. ВАХ структури наведена на фіг. 2, крива 10. Графіки підтверджують цей факт, що в матеріалі р-типу ВАХ розташована справа, в матеріалі n-типу - зліва, тобто термоносії мають різну полярність, яку можна визначити з допомогою мілівольтметра в зростках напівпровідникових ниткоподібних кристалів. Графіки фіг. 2 теж дозволяють вибрати ве-личину вимірювального струму. Знак потенціалу коротшої частини потенціометричної вітки 3-5 відповідає знаку потенціалу термоносіїв в даному напівпровіднику. Фіг. 1 Фіг. 2 2 40268 __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 3
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod to determine type of conductivity of semiconductor filamentous crystals
Автори англійськоюVarshava Slavomyr Stepanovych, Druzhynin Anatolii Oleksandrovych, Ostrovskyi Ihor Petrovych
Назва патенту російськоюСпособ определения типа проводимости полупроводниковых нитевидных кристаллов
Автори російськоюВаршава Славомир Степанович, Дружинин Анатолий Александрович, Островский Игорь Петрович
МПК / Мітки
МПК: G01R 31/00
Мітки: провідності, напівпровідникових, кристалів, визначення, типу, спосіб, ниткоподібних
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-40268-sposib-viznachennya-tipu-providnosti-napivprovidnikovikh-nitkopodibnikh-kristaliv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових ниткоподібних кристалів</a>
Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів
Номер патенту: 10594
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Байцар Роман Іванович, Островський Петро Іванович, Островська Анастасія Степанівна, Красножонов Євген Павлович
МПК: C30B 29/00, C30B 29/06
Мітки: ниткоподібних, вирощування, резонаторів, струнних, кристалів, спосіб, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепаду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального питомого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...
Спосіб визначення типу провідності германію
Номер патенту: 32894
Опубліковано: 15.02.2001
Автор: Доскоч Василь Петрович
МПК: G01R 31/12
Мітки: германію, спосіб, визначення, типу, провідності
Текст:
...до нього вим ірника провідності згідно з запропонованим винаходом зразок розміщують у магнітному полі і одночасно прикладають механічне навантаження, величину якого вибирають відповідно до розмірів зразка, при цьому зразок м о н о к р ис т а л а г е р ма н ію р о з м і щ ую т ь так, щоб в е к т о ри напруженостей електричного і магнітного полів проходили паралельно кристалографічній осі , де має місце міждолинний перерозподіл...
Спосіб визначення залишкових механічних напружень в багатодолинних напівпровідникових кристалах
Номер патенту: 31782
Опубліковано: 15.12.2000
Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Венгер Євген Федорович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Доценко Юрій Павлович
Мітки: кристалах, механічних, напружень, залишкових, багатодолинних, напівпровідникових, визначення, спосіб
Текст:
...простого, більш точного та більш досконалого, в порівнянні з існуючими аналогами, способу визначення залишкових механічних напружень в кристалах багатодолинних напівпровідників, що виникають в процесі їх вирощування, змін в результаті проведення різного роду технологічних відпалів або в результаті іншого впливу на напівпровідниковий матеріал Вирішення цієї задачі здійснюється шляхом проведення вимірів зміни поздовжнього опору пари зразків...
Пристрій для компенсації домішкової провідності напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання
Номер патенту: 8567
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Михайлов Віктор Іванович, Щербін Володимир Миколайович, Ключников Олександр Олександрович
МПК: H01L 31/04, H01L 21/02
Мітки: пристрій, напівпровідникових, домішкової, провідності, випромінювання, компенсації, детекторів, іонізуючого
Формула / Реферат:
Устройство для компенсации примесной проводимости полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений, состоящее из термостата, двух плоских потенциальных контактов и источника питания, отличающееся тем, что, с целью повышения его производительности путем уменьшения времени компенсации, в него введены дополнительные потенциальные контакты, коллиматор и источник ионизирующего излучения, причем каждый контакт соединен с другим контактом...
Контейнер для термообробки летких напівпровідникових кристалів
Номер патенту: 25162
Опубліковано: 30.10.1998
Автори: Март'янов Генадій Сергійович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Гурін Вячеслав Анатолійович
МПК: C30B 35/00
Мітки: напівпровідникових, кристалів, термообробки, летких, контейнер
Формула / Реферат:
Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...
Попередній патент: Спосіб діагностики початкових проявів контрактури лицьового нерва
Наступний патент: Спосіб виготовлення гістологічного препарату
Випадковий патент: Транспортна холодильна установка