Тензодатчик динамічної деформації
Номер патенту: 43094
Опубліковано: 15.11.2001
Автори: Панков Юрій Михайлович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович
Формула / Реферат
Тензодатчик динамічної деформації, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпровідникового монокристала з точковими контактами на кінцях монокристала і струмовиводами, а також із проміжним точковим контактом, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використано напівпровідник кремній р - типу провідності, легований В та Аu, із питомим опором 0,02 Ом см, а проміжний точковий контакт встановлений зі зміщенням до одного з кінців монокристала, відношення частин якого становить не менше 1:3.
Текст
Тензодатчик динамічної деформації, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпро 43094 Датчик містить чутливий елемент 1 з ниткоподібного монокристалу кремнію р-типу, діаметром 20-100 мкм, легованого В і Аu з питомим опором 0,02 Ом×см, кінцеві точкові контакти 2 та 4 і проміжковий контакт 3, які з'єднані зі струмовиводами 5 з джерелом живлення 7 та вимірювальним приладом 8. Чутливий елемент 1 закріплений на пружному елементі 6. У випадку пружного елемента у вигляді мембрани, ЧЕ закріплюється в її середній частині. Джерело постійного стабілізованого струму 7 забезпечує стр ум розігріву (Ір) частини ЧЕ між контактами 2-3, а мілівольтметр 8 вимірює спад термоЕРС, що виникає між контактами 3-4 (Ua). Датчик працює наступним чином. Розігрів коротшої частини ЧЕ 2-3 призводить до появи градієнта температури вздовж ниткоподібного кристалу і між контактами виникає термоЕРС. Динамічна деформація поверхні пружного елемента 6 передається до ЧЕ з ниткоподібного кристалу кремнію, який легований В та Аи з питомим опором 0,02 Ом×см та діаметром 20 мкм. Динамічна деформація ниткоподібного кристалу викликає залежність термоЕРС від амплітуди динамічної деформації. Градуювання датчика проводять наступним чином. З'єднують вимірювальну схему згідно фіг. 1. Пружний елемент 6, разом з чутливим елементом 1, приводять у коливання за допомогою регульованого електромеханічного вібратора, який під'єднаний до звукового генератора ГЗ-117. У якості джерела стабілізованого струму розігріву 7 використовували прилад Б5-44А, як вимірювальний мілівольтметр - цифровий прилад В7-16А Визначають градуювальну характеристику, тобто залежність зміни напруги між контактами 3-4 ЧЕ 1 від амплітуди динамічної деформації А, яку задавали зміною вихідної напруги генератора (U/U0). Така характеристика для струмів розігріву Ір=60, 70, 88 мА наведена на фіг. 2, відповідно криві 1, 2 та 3. Користуючись такою функціональною залежністю, можемо визначити амплітуду динамічної деформації (у відповідних одиницях). При пружному елементі і у вигляді круглої мембрани з діаметром D=40 мм, товщиною 0,2 мм та матеріалі пружного елемента зі сталі 18НХТЮ, максимальне значення амплідуди динамічної деформації дорівнювало 1,57х10-3 відн. одиниць. Принцип роботи датчика грунтується на залежності термоЕРС у кремнію р-типу провідності від динамічної деформації, тобто на сумі дій п'єзоефекту та ефекту термоЕРС. Як було встановлено, в кремнії р-типу провідності під впливом деформації відбуваються значні зміни ізоенергетичних поверхонь та густин станів як легких, так і важких дірок, що, у свою чергу, зумовлює нелінійну залежність енергії Фермі в кристалі кремнію р-типу провідності від рівня деформації. Така залежність містить, в основному, парні члени відносно деформації. Це призводить до значної залежності термоЕРС від динамічної деформації у кремнії р-типу провідності від динамічної деформації. Для цього коротша (розігрівна) частина ниткоподібного монокристалу розігрівається постійним стабілізованим струмом Ір, а спад напруги між проміжним і більш віддаленим контактами Ua (вимірювальна частина) є функцією амплітуди динамічної деформації, яку задає пружний елемент. Згадане відношення частин ЧЕ 1:3 і більше - зменшує теплові втрати і збільшує чутливість датчика. Напрямок струму розігріву Ір відповідає від’ємній полярності термоЕРС на проміжному струмовому контакті 3, а його величина може бути оптимізована грунтуючись на попередньо визначеній функціональній залежності Ua=f(Ip) при відсутності динамічної деформації. Фіг. 1 2 43094 Фіг. 2 __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2002 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 3
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюSemivonductor sensor of dynamic deformation
Автори англійськоюDruzhynin Anatolii Oleksandrovych, Varshava Slavomyr Stepanovych, Pankov Yurii Mykhailovych
Назва патенту російськоюТензодатчик динамической деформации
Автори російськоюДружинин Анатолий Александрович, Варшава Славомир Степанович, Панков Юрий Михайлович,
МПК / Мітки
МПК: G01B 5/30, G01B 7/00, G01B 7/16
Мітки: динамічної, деформації, тензодатчик
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-43094-tenzodatchik-dinamichno-deformaci.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Тензодатчик динамічної деформації</a>
Попередній патент: Термокоагулятор
Наступний патент: Спосіб лікування остеохондрозу хребта
Випадковий патент: Застосування одного або кількох фунгіцидів на основі інгібіторів деметилювання як засобу для протруювання насіння сої проти соєвої іржі