Детектор іонізуючого випромінювання
Формула / Реферат
1. Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін:
<
,
S1 < S2 ,
де - довжина сторони квадратної основи,
- довжина ребра п'ятигранника, паралельного основі,
- відповідно, площі квадратної основи і більшої бокової грані,
зазначений моношар нанесений принаймні на одну більшу бокову грань, а на менші інші його грані, крім квадратної основи, і на частинки моношару нанесене світловідбиваюче покриття.
2. Детектор за п. 1, який відрізняється тим, що моношар виконаний із кристалічних частинок ZnSe(Te) у формі пірамід і/або призм.
3. Детектор за п. 1, який відрізняється тим, що моношар виконаний із гранульованих частинок CsI(Tl) у формі півсфер.
Текст
Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін Винахід відноситься до сцинтиляційної техніки, зокрема до детекторів іонізуючих випромінювань Відомий детектор іонізуючих випромінювань, виконаний у вигляді сцинтиляційного прошарку полікристалічних сферичних гранул лужногалоідних кристалів у імерсійному середовищі на основі полімерної композиції з тиксотропною добавкою, що складає 2,0 - 2,5мас%, розташованого між двома оптичними склами [а с СРСР №1512339, кп GO1T1/20] Полікристалічні гранули мають розмір 1,0 - 3,0мм Детектор забезпечує світловий вихід 0,18 - 0,2 у е с в при реєстрації рентгенівського і у-випромінювання від 20 до 120кеВ Відомий СЦИНТИЛЯЦІЙНИЙ матеріал для детекторів іонізуючих випромінювань, що складається з кристалів сцинтилятора і органічного дисперсного середовища [ас СРСР №1075726, кл GO1T1/20, СО9К11/10] У якості сцинтилятора матеріал містить полікристали твердого розчину з'єднань а < U де а Si < S 2 , - довжина сторони квадратної основи, / - довжина ребра п'ятигранника, паралельного основі, Sx і S2 - ВІДПОВІДНО, площі квадратної основи і більшої бокової грані, зазначений моношар нанесений принаймні на одну більшу бокову грань, а на менші ІНШІ ЙОГО грані, крім квадратної основи, і на частинки моношару нанесене світловідбиваюче покриття 2 Детектор за п 1, який відрізняється тим, що моношар виконаний із кристалічних частинок ZnSe(Te) у формі пірамід і/або призм 3 Детектор за п 1, який відрізняється тим, що моношар виконаний із гранульованих частинок Csl(TI) у формі півсфер А В з розміром 0,01 - 1,00мм при такому співь відношенні компонентів, об % - полікристали твердого розчину з'єднань А11ВУ1-20-90, - органічне дисперсне середовище - решта Сцинтиляційний матеріал забезпечує реєстрацію різноманітних видів випромінювання, має високий СВІТЛОВИХІД і радіаційну СТІЙКІСТЬ У порівнянні з попереднім аналогом, використання полікристалів з'єднання А П В У 1 дозволяє розширити види випромінювання, що реєструються, (включаючи реєстрацію нейтронів), а також підвищити радіаційну СТІЙКІСТЬ детектора До вади відомих аналогів можна віднести багато шаруватість упаковки, наявність імерсійного середовища і відсутність урахування форми часток, що призводить до неефективних умов світлозбирання і не дозволяє забезпечити необхідну чутливість детектора О СО (О 46134 ється в порошок Встановлено, що використання часток Csl(TI) у формі напівсфери найкраще з погляду світлозбирання Експериментальне також показано, що нанесення на кожну з таких часток покриття, що відбиває, призводить до значного підвищення світлового виходу в порівнянні з тим, коли частки знаходяться в імерсійному середовищі або коли відбиваюче покриття нанесене на моношар, як у прототипі Вибір розміру часток для утворення монослою, що сцинтилює, провадиться з умов 90% поглинання даного виду випромінювання в ньому На фіг 1 зображений ескіз запропонованого детектора в аксонометрії, на фіг 2 - те ж, вид збоку, у таблиці приведена величина світлового виходу для різноманітних розмірів оптичного елемента і різноманітної енергії падаючого випромінювання в порівнянні з аналогами і прототипом Проте, використовувана сферична форма поДетектор складається з моношару 1 кристалілікристаличних гранул і наявність імерсійного сечних часток, нанесеного, за допомогою оптичного редовища не сприяє оптимальним умовам світлоклею УП4-260-ЗМ на одну або обидві великі грані З збирання в детекторі Запропонована форма площею S2 оптичного елемента з прозорого матесвітловода не дозволяє істотно збільшувати плоріалу, що являє собою п'ятигранник, який має кващу сцинтиляційного шару в порівнянні з вихідним дратну основу 4 з стороною а і площею Si, з боковікном детектора вими великими гранями у вигляді трапеції З, площею S2 і меншими гранями у вигляді трикутниМетою цього винаходу - розробити детектор ка 6 Ребро 5 п'ятигранника паралельно квадратіонізуючого випромінювання, що забезпечив би ній підвалині і має довжину І На кристалічні частки збільшення світлового виходу при реєстрації р-, моношару 1 і на ІНШІ бокові грані оптичного еленизькоенергетичного у- і рентгенівського випромімента нанесене покриття, що відбиває, 2 У якості нювання фотоприймача можуть бути використані не менше Рішення задачі досягається тим, що в запроодного Si-фотодюда або ФЕП, з'єднаних із квадрапонованому детекторі іонізуючого випромінювантною гранню 4 оптичного елемента площею Si, що ня, що виконаний у вигляді моношару кристалічвиконує роль вихідного вікна детектора них часток, нанесеного на оптичний елемент, ВІДПОВІДНО до винаходу оптичний елемент являє Приклади виконання запропонованого детексобою п'ятигранник із квадратною основою і з ветора ликими боковими гранями у вигляді трапеції, менПриклад 1 Кристалічні частки для моношару 1 шими гранями у вигляді трикутника і з співвідноготують шляхом роздрібнення полірованих пласшеннями розмірів а < І, S-і < S2, де а - розмір тин ZnSe(Te) із необхідними робочими характеристорони квадратної грані, см, І - розмір ребра п'ястиками Роздріблену речовину просівають через тигранника, паралельного основі, см, Si і S2 - ВІДсито з отворами, що відповідають розмірам обра2 ПОВІДНО, ПЛОЩІ, см , квадратної і більшої бокової них часток з урахуванням енергії падаючого виграні Моношар нанесений не менше ніж на одну з промінювання Для енергії Ер = 2,1 МеВ, Еу = 50кеВ великих граней п'ятигранника, а на ІНШІ ЙОГО грані, розмір часток складає 0,15см Формування монокрім квадратної, і на частки моношару нанесене шару 1 проводиться безпосередньо на поверхні покриття, що відбиває Рішення задачі досягається (або поверхнях) грані 3 оптичного елемента, для також тим, що моношар виконаний із кристалічних чого поверхню покривають тонким прошарком опчасток ZnSe(Te) у формі пірамід і/або призм, або з тичного клею УП4-260-ЗМ На клей рівномірно кристалічних часток Csl(TI) у формі напівсфер вкладають кристалічні частки Прошарок максимально ущільнюють і витримують на протязі 24-годин Оптичний елемент у вигляді п'ятигранника запри кімнатній температурі На поверхню часток з значених геометричних розмірів забезпечує оптиусіх боків завдають відбиваюче покриття 2 на осмальні умови світлозбирання з більшої (більших) нові СКТНСС-МЕД Покриття, що відбиває, на осйого грані на фотоприймач, що встановлюється на нові СКТНСС-МЕД або з дакронової плівки товщиквадратній грані, виконуючи таким чином роль ною t = 5мкм наносять також на всі ІНШІ поверхні світловода Як показали експерименти, оптимальні граней 3,6 оптичного елемента, крім квадратної умови світлозбирання в моношару з сцинтиляційграні 4, що виконує роль вихідного вікна На вихідних часток досягаються при використанні часток не вікно детектора за допомогою оптичного клею ZnSe(Te) у вигляді пірамід або призм, що у силу УП4-260-ЗМ наклеюють фотоприймачі, причому кристалографічних властивостей ZnSe(Te) переплоща квадратної грані 4 відповідає площі фотоважно утворюються в результаті роздрібнення приймачів Розміри оптичного елемента Н = 10см, монокристалічної пластини Для Csl(TI) єдиним І = 7см, а = 1см можливим засобом одержання кристалічних часток необхідних розмірів є їх гранулювання в сфеПриклад 2 Для моношару 1 використовують ричній формі, оскільки в результаті роздрібнення, сферичні гранули з кристалів Csl(TI) Розміри грачерез свої пластичні властивості він перетворюнул вибирають з урахуванням енергії падаючого Відомий детектор іонізуючих випромінювань, виконаний у вигляді моношару полікристаличних часток- сферичних гранул розміром 0,2 - 0 Змм із Nal(TI), у імерсійному середовищі (наприклад, у фторопластовому або кремнійорганичному лаку), нанесеного на оптичний елемент [а с СРСР №698413, кл GO1T1/20] Сцинтиляційний прошарок може бути розташований між оптичним склом (вихідне вікно) І берилієвим диском (вхідне вікно детектора), або нанесений на напівсферичну поверхню з оргскла, що виконує роль світловоду Поверх прошарку часток розташована дакронова плівка товщиною 5мкм, що є відбивачем Для даного детектора отриманий СВІТЛОВИХІД 119 - 127% щодо монокристаличної пластини Nal(TI) Виконання детектора у вигляді моношару сферичних гранул забезпечує більш ефективне світлозбирання за рахунок відсутності втрат при проходженні світла через межі між гранулами моношару 46134 нової плівки товщиною t = 5мкм наносять також на випромінювання Ер = 2,6МеВ, Еу = 70кеВ, що відвсі ІНШІ поверхні граней 3,6 оптичного елемента, повідає радіусу гранул 0,15см Формування монокрім квадратної грані 4, що виконує роль вихідного шару 1 проводять на поверхні підложки з оргскла, вікна На вихідне вікно детектора за допомогою площа і форма якої відповідає поверхні оптичного оптичного клею УП4-260-ЗМ наклеюють фотоелемента, для чого гранули занурюють у клей біприймачі, причому площа квадратної грані 4 відльше ніж наполовину Після витримки на протязі повідає площі фотоприймачів Розміри оптичного 24 годин при кімнатній температурі видаляють елемента Н = 10см, І = 7см, а = 1см половину сцинтиляційного шару з підложкою Сцинтиляційний шар, що залишився, за допомогою Приклади виконання детекторів із різноманітоптичного клею наклеюють основами напівсфери ними розмірами оптичного елемента і розмірами на поверхню грані 3 оптичного елемента На бокочасток у залежності від енергії падаючого випроміві поверхні часток з усіх сторон наносять відбиванювання і їхнього розміру світлового виходу приюче покриття 2 на основі СКТНСС-МЕД Покриття, ведені в таблиці що відбиває, на основі СКТНСС-МЕД або з дакроТаблиця Матеріал ZnSe(Te) ZnSe(Te) ZnSe(Te) ZnSe(Te) ZnSe(Te) Csl(TI) Csl(TI) Розміри оптичного елемента, см Н I а 10 7 1 10 7 1 15 10 1 20 15 1 10 7 2 10 7 1 10 7 1 Розмір часток, см Енергія увипромшювання, кеВ Енергія рвипромшювання, МеВ Величина світло- Величина світлового виходу увого виходу рвипромшю-вання* випроміню-вання * 2,4 1,56 1,80 1,60 1,80 2Д 2,1 1,85 2,05 0,2 2,4 1,98 2,45 0,15 21 1,87 2,40 0,15 70 2,6 1,65 1,58 0,2 80 3,0 1,61 1,67 За аналогом Csl(TI) - 0,1-0,3 20-120 0,18-0,20** За прототипом - 0,02-0,03 5,9-24 1,19-1,27 Nal(TI) * Величина світлового виходу визначалась щодо величини світлового виходу монокристалічної пластини з того ж матеріалу, що була прийнята за 1 **Величина світлового виходу вимірювалось в одиницях у є с в 0,2 0,15 0,15 60 50 50 60 50 Запропоноване конструктивне виконання детекторів на основі кристалічних часток із ZnSe(Te) і гранул кристалів Cs(TI) за своєю чутливістю в 1,52 раз перевершують детектори, що описані в аналогах і прототипі Це дозволяє використовувати їх для створення детекторів для р- і низькоенергетичного у- випромінювання Принципово, площа таких детекторів практично не обмежена й обумовлена лише умовами конкретного застосування ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119, Україна (044)456-20- 90 ТОВ "Міжнародний науковий комітет" вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна (044)216-32-71
ДивитисяДодаткова інформація
Автори англійськоюHavryliuk Volodymyr Petrovych, Halchinetskyi Leonid Pavlovych, Hriniov Borys Viktorovych, Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych, Kvitnytska Valentyna Zakharivna, Ryzhykov Volodymyr Diomydovych
Автори російськоюГаврилюк Владимир Петрович, Гальчинецкий Леонид Павлович, Гринев Борис Викторович, Катрунов Константин Алексеевич, Квитницка Валентина Захаровна, Рыжиков Владимир Диомидович
МПК / Мітки
МПК: G01T 1/202
Мітки: детектор, іонізуючого, випромінювання
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-46134-detektor-ionizuyuchogo-viprominyuvannya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Детектор іонізуючого випромінювання</a>
Попередній патент: Спосіб прогнозування та контролю ефективності лікування хронічної серцевої недостатності
Наступний патент: Спосіб прогнозування перебігу гіпертонічної хвороби
Випадковий патент: Апарат для опріснення морських та солоних вод