Термоелектричний матеріал

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460600 К. (19) (21) u201005022 (22) 26.04.2010 (24) 11.10.2010 (46) 11.10.2010, Бюл.№ 19, 2010 р. (72) КОЗЬМА АНТОН АНТОНОВИЧ, ПЕРЕШ ЄВГЕН ЮЛІЙОВИЧ, БАРЧІЙ ІГОР ЄВГЕНІЙОВИЧ, САБОВ МАР'ЯН ЮРІЙОВИЧ, ЦИГИКА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, БЕЦА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, ГАЛАГОВЕЦЬ ІВАН ВАСИЛЬОВИЧ (73) ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД "УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ" 3 53638 Полікристалічні зразки евтектичного композиту Tl0,45Bi0,45Sn0,55Se2 одержували методом спрямованої кристалізації за Бріджменом із шихти з співвідношенням (мол.%) вихідних компонентів TlBiSe2 та SnSe2 9:11. Термоелектричні властивості досліджували методом Хармана в температурному інтервалі 300-600 К на полікристалічних зразках циліндричної форми (d=7-8 мм, 1=10-12 мм). Максимальне значення термоелектричної добротності евтектичного композиту складало 1,52 10-3 К-1 (Табл.) при 564 К, що значно перевищує аналогічні показники для SnSe2 і TlBiSe2 (у 9 та 2,5 разів відповідно) [1, 3]. Таблиця Термоелектричний матеріал Сполука SnSe2 Tl0,45Bi0,45Sn0,55Se2 TlBiSe2 ZТ 10-3, К-1 0,17 (569 К) 1,52 (564 К) 0,60 (568 К) 4 Застосування полікристалічного сплаву Tlo,45Bi0,45Sn0,55Se2 в якості робочого елементу термоелектричних пристроїв забезпечує їх більшу ефективність як за фізико-технічними, так і економічними характеристиками. Корисна модель може бути використана в енергетиці, в перетворювачах тепла та створенні додаткових джерел електрики на теплових електростанціях та підприємствах, що виділяють теплову енергію в атмосферу Землі. Джерела інформації: 1. Войнова Л.Г., Базакуца В.А., Дембовский С.А., Лисовский Л.Г., Сокол Е.П., Канцер Ч.Т. Термоэлектрические параметры тонких слоëв TlBiS2, TlBiSe2, TlBiTe2 //Изв. вузов. Физика, -1971.- Т.14, №5.-С. 154-155.-Прототип. 2. Козьма А.А., Переш Є.Ю., Барчій I.E., Цигика В.В. Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl2Se-SnSe2-Bi2Se3 //Укр. хім. журнал.- 2010.- Т.76, №4.-С. 8-12. 3. Busch G., Fröhlich С., Hulliger F., Steigmeier E. Struktur, elektrische und thermoelektrische Eigenschaften von SnSe2 //Helv. Phys. Acta. -1961. Bd.34. -№4. -S. 359-368. 5 Комп’ютерна верстка Л.Литвиненко 53638 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601