Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Текст

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К. (19) (21) a200907031 (22) 06.07.2009 (24) 10.08.2010 (46) 10.08.2010, Бюл.№ 15, 2010 р. (72) ГЛУХ ОЛЕГ СТАНІСЛАВОВИЧ, БАРЧІЙ ІГОР ЄВГЕНІЙОВИЧ, САБОВ МАР'ЯН ЮРІЙОВИЧ, ЦИГИКА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, ГАЛАГОВЕЦЬ ІВАН ВАСИЛЬОВИЧ, БЕЦА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ (73) ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД "УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ" (56) RU 2157020, 27.09.2000 3 91653 досліджено термоелектричні властивості методом Хармана в температурному інтервалі 300-650 К. Термоелектрична добротність монокристалічних зразків системи Tl4GeSe4-Tl4SnSe4 збільшується із збільшенням вмісту Tl4GeSe4, максимальні значення ZT=1,7 10-3 K-1, як видно із Табл., спостерігаються при 480 К. Значення термоелектричної добротності талій (І) тетраселеностанату-германату при температурі 480 К складає 1,7 10-3 К-!, що значно перевищує аналогічні показники для Tl4SnSe4 і Tl4GeSe4. Таблиця Термоелектричний матеріал Сполука 4 Tl4SnSe4 Tl4Sn0,25Ge0,75Se4 Tl4GeSe4 0,1 (425 К) 1,7 (480 К) 1,3 (500 К) Джерела інформації: 1. Звіт про виконання державної бюджетної теми ДБ-442 "Нові термочутливі матеріали на основі халькогенідів аргентуму (талію) - елементів IV групи" (1.01.2004-31.12.2006 pp.), № державної реєстрації 01021004539 – прототип. 2. Фам Ван Ньеу, Бабанлы М.Б., Кулиев А.А. Фазовые равновесия в системах Tl4GeSe4Tl4SnSe4 и Tl2GeSe3-Tl2SnSe3 // Журн. неорган. материалы. - 1985. - Т. 21, № 12. - 1961 с. 3. PowderCell for Windows. Free version 2.3. ZT 10-3, К-1 Комп’ютерна верстка Л.Литвиненко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Thermoelectric material

Автори англійською

Hlukh Oleh Stanislavovych, Barchii Ihor Yevheniiovych, Sabov Marian Yuriiovych, Tsyhyka Volodymyr Vasyliovych, Halahovets Ivan Vasyliovych, Betsa Volodymyr Vasyliovych

Назва патенту російською

Термоэлектрический материал

Автори російською

Глух Олег Станиславович, Барчий Игорь Евгеньевич, Сабов Марьян Юрьевич, Цигика Владимир Васильевич, Галаговец Иван Васильевич, Беца Владимир Васильевич

МПК / Мітки

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-91653-termoelektrichnijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Термоелектричний матеріал</a>

Подібні патенти