Малаховська Тетяна Олександрівна
Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(і) триселеностанату(іі)-тi4snse3
Номер патенту: 121133
Опубліковано: 27.11.2017
Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Когутич Антон Антонович, Філеп Михайло Йосипович
МПК: C01G 15/00, H01L 35/16, H01L 35/00 ...
Мітки: термоелектричної, полікристалічного, потужності, триселеностанату(іі)-тi4snse3, тетраталію(і, покращення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(І) триселеностанату(II)-Tl4SnSe3, який включає фазову модифікацію зразка тетраталію(І) триселеностанату(II), який відрізняється тим, що змінюють хімічний склад Tl4SnSe3 ізовалентним заміщенням атомів Стануму на Плюмбум, що підвищує термоелектричну потужність у 10¸35 разів, яку вимірюють на спеціально підготовлених зразках чотирикутної форми, при цьому...
Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4
Номер патенту: 96629
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович
МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01G 17/00 ...
Мітки: талію(і, монокристалів, спосіб, термоелектричного, тетратіостанату, tl4sns4, матеріалу, основі, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.
Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)
Номер патенту: 95645
Опубліковано: 25.08.2011
Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович
МПК: H01L 35/14, H01L 35/16, H01L 35/34 ...
Мітки: одержання, розчину, tpиtioctaнatу, твердого, основі, талію, cпociб, tepmoeлektpичнoгo, moнokpиctaлib, вигляді, матеріалу
Формула / Реферат:
Спосіб одержання термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 93009
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович
МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01G 1/12 ...
Мітки: термоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4
Номер патенту: 50095
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович
МПК: H01L 35/00
Мітки: тетратіостанату, талій, добротності, термоелектричної, спосіб, tl4sns4, покращення, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 43564
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович
МПК: H01L 35/12
Мітки: матеріал, термоелектричний
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3
Номер патенту: 42908
Опубліковано: 27.07.2009
Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович
МПК: H01L 35/00
Мітки: покращення, термоелектричної, талій, tl2sns3, тритіостанату, монокристалів, добротності, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.