Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 47226
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Глух Олег Станіславович
Формула / Реферат
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.
Текст
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480540К. (19) (21) u200907010 (22) 06.07.2009 (24) 25.01.2010 (46) 25.01.2010, Бюл.№ 2, 2010 р. (72) ГЛУХ ОЛЕГ СТАНІСЛАВОВИЧ, БАРЧІЙ ІГОР ЄВГЕНІЙОВИЧ, САБОВ МАР'ЯН ЮРІЙОВИЧ, ЦИГИКА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, ГАЛАГОВЕЦЬ ІВАН ВАСИЛЬОВИЧ, БЕЦА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ 3 47226 значення ZT=1,7´10-3К-1, як видно із Табл., спостерігаються при 480К. Значення термоелектричної добротності талій (1) тетраселеностанату-германату при температурі 480К складає 1,7´10-3К-1, що значно перевищує аналогічні показники для Tl4SnSe4 і Tl4GeSe4. Таблиця Сполука ZT´10-3, К-1 Тl4SnSе4 0,1 (425К) Тl4Sn0.25Ge0.75Se4 1,7 (480К) Tl4GeSe4 1,3 (500К) Застосування монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 в якості робочого елементу термоелектричних пристроїв забезпечує їх більшу ефективність як за фізико-технічними, так і економічними характеристиками. Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська 4 Корисна модель може бути використана в енергетиці, в перетворювачах тепла та створенні додаткових джерел електрики на теплових електростанціях та підприємствах, що виділяють теплову енергію в атмосферу Землі. Джерела інформації: 1. Звіт про виконання державної бюджетної теми ДБ-442 "Нові термочутливі матеріали на основі халькогенідів аргентуму (талію) - елементів IV групи" (1.01.2004-31.12.2006pp.), № державної реєстрації 01021004539 – прототип. 2. Фам Ван Ньеу, Бабанлы М.Б., Кулиев А.А. Фазовые равновесия в системах Тl4GеSе4Тl4SnSе4 и Тl2GеSе3-Тl2SnSе3 // Журн. неорган. материалы - 1985. - Т.21, №12. - 1961с. 3. PowderCell for Windows. Free version 2.3. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюThermoelectric material
Автори англійськоюHlukh Oleh Stanislavovych, Barchii Ihor Yevheniiovych, Sabov Marian Yuriiovych, Tsyhyka Volodymyr Vasyliovych, Halahovets Ivan Vasyliovych, Betsa Volodymyr Vasyliovych
Назва патенту російськоюТермоэлектрический материал
Автори російськоюГлух Олег Станиславович, Барчий Игорь Евгеньевич, Сабов Марьян Юрьевич, Цигика Владимир Васильевич, Галаговец Иван Васильевич, Беца Владимир Васильевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 35/12
Мітки: термоелектричний, матеріал
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-47226-termoelektrichnijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Термоелектричний матеріал</a>
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 43564
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна
МПК: H01L 35/12
Мітки: термоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 43181
Опубліковано: 15.11.2001
Автор: Беца Володимир Васильович
МПК: H01L 35/12
Мітки: термоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Застосування тетратіотитанату талію /ІУ/ - Tl4TiS4 як термоелектричного матеріалу.
Напівпровідниковий термоелектричний матеріал
Номер патенту: 16624
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Копил Олександр Іванович, Термена Ірина Святославівна
МПК: C30B 13/00
Мітки: напівпровідниковий, термоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал на основі Bi-Te-Se-Sb для термоелектричних генераторів, який відрізняється тим, що має склад Sb1,5Bi0,5Se0,09Te2,9-x, де (0,005>х>0,004), що включає 0,15-0,22 вагових відсотків Pb1-yGeyTe, де (0,06у0,05).
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 6524
Опубліковано: 16.05.2005
Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Михайловський Віліус Ярославович
МПК: H01L 35/00
Мітки: матеріал, термоелектричний
Формула / Реферат:
1. Термоелектричний матеріал, що складається з матриці, пронизаної порами або каналами, який відрізняється тим, що поверхні внутрішніх пор або каналів містять термостійкі шари каталітичних речовин, активних в реакціях безполум'яного окиснення горючих газів.2. Термоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що у випадку низькотемпературного робочого діапазону використовуються каталітичні речовини на основі Pt або Pd, або...
Пористий термоелектричний матеріал
Номер патенту: 16115
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Михайловський Віліус Ярославович, Струтинська Любов Тимофіївна
МПК: H02N 3/00, H01L 35/00
Мітки: пористий, термоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
1. Термоелектричний матеріал на основі кристалів або сплавів для термоелектричних генераторів, що має пори або канали, який відрізняється тим, що поряд з необхідними термоелектричними властивостями він характеризується активністю в реакціях каталітичного безполум'яного окиснення горючих газів.2. Термоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що для отримання матеріалу р і n-типу використані речовини зі структурою...