Модуль силовий напівпровідниковий
Формула / Реферат
1. Модуль силовий напівпровідниковий, що містить послідовно з'єднані напівпровідниковий вентиль і охолоджувач з масивною основою, установочно-контактною площадкою і ребристою поверхнею, яка розташована перпендикулярно до установочно-контактної площадки, два силові струмопроводи та систему притискання вентиля до охолоджувача, який відрізняється тим, що кожен охолоджувач розміщений у окремому повітропроводі, вхідний торець якого знаходиться з боку установочно-контактної площадки, при цьому вентиль у потоці охолоджуючого повітря завжди знаходиться у камері підвищеного тиску, а відбирання тепла з кожного охолоджувача здійснюється своїм струмком охолоджуючого повітря.
2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що хоча б один струмопровід розміщений на протилежному торці основи охолоджувача по відношенню до торця з вентилем.
3. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що при розміщенні модулів у напрямку струмка відпрацьованого повітря в декілька рядів в одній площині, виліт вихідного кінця повітропроводу відносно зовнішнього торця охолоджувача виконаний достатнім для уникнення підігрівання охолоджувача відпрацьованим повітрям після охолодження ним попереднього ряду модулів.
Додаткова інформація
Назва патенту англійськоюSemiconductor power module
Автори англійськоюShulha Hryhorii Fedorovych
Назва патенту російськоюПолупроводниковый силовой модуль
Автори російськоюШульга Григорий Федорович
МПК / Мітки
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Мітки: силовий, напівпровідниковий, модуль
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-73088-modul-silovijj-napivprovidnikovijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Модуль силовий напівпровідниковий</a>
Силовий напівпровідниковий модуль
Номер патенту: 62975
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Бухер Бенно, Ланг Томас, Фрей Тоні
МПК: H01L 25/07
Мітки: модуль, силовий, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий модуль, що містить нижню плату, верхню плату і щонайменше один напівпровідниковий кристал, який першим головним електродом сполучений з нижньою платою, а другим головним електродом через підпружинений електричний контактний елемент - з верхньою платою, який відрізняється тим, що передбачено щонайменше один пружинний елемент, який виконано з можливістю розсовувати щонайменше один контактний елемент у положення, що...
Силовий напівпровідниковий модуль
Номер патенту: 1679
Опубліковано: 17.03.2003
Автори: Копаєва Ольга Вікторівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Тоцький Олександр Федорович
МПК: H01L 25/00
Мітки: напівпровідниковий, силовий, модуль
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить рамковий пластмасовий корпус переважно прямокутної форми з зовнішніми отворами для кріплення і профільним заглибленням по внутрішньому периметру нижнього торця, до опорної площини якого приклеєна і прилягає металізована з двох боків керамічна пластина з периферійною неметалізованою областю по її периметру, на верхньому боці якої змонтовані схемні компоненти, і яка залита всередині корпусу...
Силовий напівпровідниковий модуль
Номер патенту: 57774
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Ланг Томас, Целлєр Ханс-Рудольф
МПК: H01L 25/07
Мітки: модуль, силовий, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить у корпусі (1) підкладку (2), принаймні дві напівпровідникові мікросхеми (4) з двома основними електродами (5, 6) кожна, по одному контактному поршню (3) для кожної напівпровідникової мікросхеми, причому перші основні електроди (5) знаходяться в електричному контакті з підкладкою (2), а відповідно другі основні електроди (6) знаходяться в електричному контакті з контактним поршнем (3), між...
Силовий напівпровідниковий модуль
Номер патенту: 67923
Опубліковано: 15.07.2004
Автори: Васильєв Борис Олександрович, Сорока Володимир Леонідович, Чмихов Микола Віссаріонович
МПК: H01L 25/00
Мітки: силовий, модуль, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить пластини, що відводять тепло, з розташованими на них напівпровідниковими елементами зі штирьовими виводами, із припаяними до цих штирьових виводів пелюстками, що відводять струм, шини, втулки і стяжки, який відрізняється тим, що пелюстки, які відводять струм, виконані у вигляді n променевої зірочки з одним центральним отвором під кріплення, що відводить струм, і n отворами на кінцях n...
Силовий напівпровідниковий модуль з множиною підмодулів
Номер патенту: 60298
Опубліковано: 15.10.2003
Автор: Стокмайер Томас
МПК: H01L 25/10
Мітки: підмодулів, множиною, модуль, силовий, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий модуль (10) з множиною підмодулів (1), що містять відповідно, щонайменше, один напівпровідниковий чип (5а, 5b), причому підмодулі (1) закріплені на загальній опорній платі (11), що відводить тепло, і мають електричний контакт з провідниками (12, 14, 18), що приєднуються ззовні, який відрізняється тим, що щонайменше один напівпровідниковий чип (5а, 5b) підмодуля (1) вміщений в оболонку, яка містить зовнішні...
Попередній патент: Інтерактивна система для ігор
Наступний патент: Спосіб рекуперації тепла при ректифікації спирту
Випадковий патент: Спосіб хірургічного лікування виразкової хвороби дванадцятипалої кишки