Cпосіб одержання тонких плівок, які самі підтримуються
Номер патенту: 9841
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Зорнік Валентина Григорівна, Козерацька Галина Миколаївна, Матвєєва Людмила Олександрівна
Формула / Реферат
1. Способ получения тонких самоподдерживающихся пленок для ядерно-физических исследований из, группы бериллия, или кремния, или германия, или марганцам, или эрбия, или висмута, включающий химическую очистку стеклянной подложки, осаждение на подложку термическим испарением в вакууме слоя хлористого натрия и пленки заданного материала, отделение пленки от подложки, отличающийся тем, что перед осаждением слоя хлористого натрия осуществляют очистку подложки в тлеющем разряде, испарение заданного материала осуществляют в импульсном режиме при температуре испарителя 1923-2100 К, 1850-1900 К, 1600-1650 К, 1325-1550 К, 1803-1833 К, 820-930 К для указанных материалов соответственно, при этом длительность импульсов и промежуток между ними поддерживают равными 3-4с и 8-10с, 8-10с и 20-25с, 5-6с, и 2-5с, 1-2с и 5-6с, 3-4с и 6-8с, 3-4с и 8-10с для указанных материалов соответственно, а осаждение пленок осуществляют для указанных материалов соответственно со скоростью в мкг/см2 с: 2,0-9,57; 2,0-3,78; 14,0-29,05; 8,0-16,33; 3,0-3,86; 10-22,3.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что очистку в тлеющем разряде осуществляют в вакууме (1,33-2,66)•10-1Па при напряжении 1-3кВ в течение 3-5мин.
Текст
1. Способ получения тонких са мопод держивающихся пленок для ядерно-физи ческих исследований из, группы бериллия, или кремния, или германия, или марганцам, или эрбия, или висмута, включающий хими ческую очистку стеклянной подложки, осажде ние на подлож к у те рмиче ск им испарением в вакууме слоя хлористого натрия и пленки заданного материала, отделение пленки от подложки, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что перед осаждением слоя хлористого натрия осуществляют очистку подложк и в т ле ю ще м ра з ря де , испа ре ние заданного материала осуществляют в импульсном режиме при температуре испари-• теля 1923-2100 К, 1850-1900 К, 1600-1650 К, 1325-1550 К, 1803-1833 К, 820-930 К для указанных материалов соответственно, при этом длительность импульсов и промежуток между ними поддерживают равными 3-4 с и 8-Ю с, 8-Ю с и 20-25 с, 5-6 с, и 2-5 с, 1-2 с и 5-6 с, 3-4 с и 6-8 с, 3-4 с и 8-10 с для указанных материалов соответственно, а осаждение пленок осуществляют для указанных материалов соотве тстве нно со ск оростью в 2 мк г/см с: 2,0-9,57; 2, 0-3,78; 14,0-29, 05; 8, 016,33; 3,0-3,86; 10-22,3. 2. Способ по п. 1,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что очистку в тлеющем разряде осуще1 ствляют в вакууме (1,33-2,66) • 10" Па при напряжении 1-3 кВ в течение 3-5 мин. Изобре тение относится к технологии получения тонких пленок термическим испарением в вакууме и может быть использова но при из г от ов ле нии ми ше не й, предназначенных для ядерно-физических исследований. Известен способ получения тонких самоподдерживающихся пленок бериллия, которы й о снова н на не пре рывно м термическом осаждении пленки на стеклянную подложку, предварительно покрытую тонким слоем калийного мыла, с последующим растворением калийного мыла в воде. Осаждение бериллиевой пленки производится из источника, разогретого электрон3 4 ным лучом в вакууме 1,33 • 10" ... 1,3 • W" Па сначала через диафрагму с отверстием 17 мм до толщины 0,2...0,3 мкм, затем через диафрагму с отверстием 10 мм до требуемой толщины. Пле нки получаются доста точно толстыми (1.8...3 мкм), в них отсутствует эффект скручивания за счет снижения темпе С> оо О 9841 ратуры подложки при экранировании диафрагмами Использование стеклянной подложки и отделение ее от пленки в воде делает способ экономически выгодным, т.к. имеется возможность многократного ис- 5 пользования одной и той же подложки при получении пленок-мишеней. Способ относительно простой [1]. Недостатком способа является недостаточная чистота пленок вследствие загрязне- 10 ния их калием и неоднородность распределения калия по толщине, что препятствует проведению лрецезионных ядернофизических исследований, связанных с определением абсолютных сечений ядер- 15 ных реакций при низких и средних энергиях легких ионов на ядрах с z
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for obtaining of self-supporting thin films
Автори англійськоюKozeratska Halyna Mykolaivna, Matveeva Liudmyla Oleksandrivna, Zornik Valentyna Hryhorivna
Назва патенту російськоюСпособ получения тонких пленок, которые сами поддерживаются
Автори російськоюКозерацька Галина Николаевна, Матвеева Людмила Александровна, Зорник Валентина Григорьевна
МПК / Мітки
МПК: C23C 14/24, C23C 14/00
Мітки: самі, підтримуються, плівок, тонких, cпосіб, одержання
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-9841-cposib-oderzhannya-tonkikh-plivok-yaki-sami-pidtrimuyutsya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Cпосіб одержання тонких плівок, які самі підтримуються</a>
Попередній патент: Пристрій для створення імпульсів тиску у воді
Наступний патент: Спосіб консервування рослинної сировини
Випадковий патент: Пилковий супорт стрічкопилкового верстата