Гуменяк Михайло Васильович

Номер патенту: 6671

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Кочубей Віталій Феодосійович, Сенюта Тарас Богданович, Августімов Віталій Леонідович, Бірковий Юрій Леонідович, Гутор Іван Максимович, Гуменяк Михайло Васильович, Маскович Степан Миколайович, Токарчук Володимир Прокопович

МПК: C23C 16/40

Мітки: кремнію, одержання, двуокісу, плівок, спосіб

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ получения пленок двуокиси кремния, включающий осаждение в газовой смеси, содержащей соединение кремния и кислород, отличающийся тем, что осаждение инициируется однократным искровым разрядом в течение 0,001-0,01 сек, при этом газовая смесь дополнительно содержит водород, и при необходимости, легирующие добавки, а в качестве соединения кремния берут соединение типа SiHnCl4-n в количестве 0,006-0,048 об.% при соотношении...

Номер патенту: 3900

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Гуменяк Михайло Васильович, Бірковий Юрій Леонідович, Маскович Степан Михайлович, Прокіпчин Василь Васильович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: формування, схем, біполярних, спосіб, металізації, високострумових, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Способ формирования металлизации для сильнотоковых биполярных интегральных схем, включающий двухстадийное магнетронное распыление мишени в плазме аргона и смеси аргона и (1-10% вес) моносилана, фотолитографию для создания разводки и контактов, отличающийся тем, что распыление составной мишени, содержащей в массиве основного металла штыри из тугоплавкого или редкоземельного металла, для нанесения нижнего слоя проводят в плазме аргона, а...

Номер патенту: 1775

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Гуменяк Михайло Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Когут Ігор Тимофійович, Маскович Степан Михайлович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: H01L 21/28

Мітки: схем, зворотної, кристалів, спосіб, металізації, стороні, інтегральних

Формула / Реферат:

Способ металлизации обратной стороны кристалла интегральных схем, включающий формирование кремниевой структуры с активными и пассивными элементами на кристалле, формирование на его нерабочей стороне соединительного слоя из полицида, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью теплоэлектропроводного клея или эвтектики, отличающийся тем, что соединительный слой на обратной стороне формируют...