Бірковий Юрій Леонідович

Номер патенту: 11379

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Когут Ігор Тимофійович, Новосядлий Степан Петрович, Насипайко Олександр Васильович

МПК: H01L 21/18

Мітки: інтегральних, виготовлення, спосіб, схем, великих

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления больших интеграль­ных схем, включающий формирование кремние­вой структуры с активными и пассивными элементами, формирование на ее нерабочей сторо­не соединительного слоя, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью клея, формирова­ние контактов и герметизирующего слоя, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения качества схем за счет снижения уровня механических...

Номер патенту: 11378

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/205

Мітки: спосіб, епітаксіальних, структур, виготовлення, кремнієвих

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур, включающий формирование скрытых областей n+ -типа на кремниевой подлож­ке р-типа с последующим нанесением слоя поли­кремния, термическую обработку структуры в окислительной среде с образованием на поверхно­сти поликремния слоя оксида, газового травления в среде хлористого водорода и эпитаксиальное на­ращивание слоя n-типа, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и...

Номер патенту: 6671

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Сенюта Тарас Богданович, Кочубей Віталій Феодосійович, Гуменяк Михайло Васильович, Гутор Іван Максимович, Бірковий Юрій Леонідович, Токарчук Володимир Прокопович, Августімов Віталій Леонідович, Маскович Степан Миколайович

МПК: C23C 16/40

Мітки: кремнію, плівок, двуокісу, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ получения пленок двуокиси кремния, включающий осаждение в газовой смеси, содержащей соединение кремния и кислород, отличающийся тем, что осаждение инициируется однократным искровым разрядом в течение 0,001-0,01 сек, при этом газовая смесь дополнительно содержит водород, и при необходимости, легирующие добавки, а в качестве соединения кремния берут соединение типа SiHnCl4-n в количестве 0,006-0,048 об.% при соотношении...

Номер патенту: 6454

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Благий Богдан Степанович, Василів Ярослав Олексійович, Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: H01L 23/48

Мітки: інтегральної, спосіб, вивідної, рамки, схемі, виготовлення

Формула / Реферат:

(57) Способ изготовления выводной рамки для интегральной схемы, включающий рихтовку ленты из железоникелевого сплава, вырубку выводной рамки из ленты, отжиг рамки в среде водорода, металлизацию траверс внешних выводов и кристаллодержателя осаждением алюминия, отличающийся тем, что перед осаждением алюминия осаждают слой редкоземельного металла толщиной не менее 100А или при распылении алюминий легируют редкоземельным металлом в пределах 1-3...

Номер патенту: 4675

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, інтегральних, формування, схемах, контактно-металізованої, системі

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ формирования контактно-метализированной системы в интегральных схемах, включающий нанесение на обратную сторону подложки с активными структурами слоя поликристаллического кремния, формирование с помощью фотолитографии U-образного рельефа на обратной стороне, снятие фоторезиста, формирование полицидной пленки на обратной стороне под ложки с последующей термообработкой, формирование уровня металлизации на лицевой стороне...

Номер патенту: 5592

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Гаврилів Анна Петрівна, Гутор Іван Максимович, Ван-Чин-Сян Юрій Якович, Кочубей Віталій Феодосійович, Цьолковський Теодозій Іванович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: C23C 16/18

Мітки: плівок, спосіб, окису, цинку, одержання

Формула / Реферат:

(57) Способ получения пленок окиси цинка термическим разложениемалкилпроизводных цинка на подложке в присутствии окислителя, отличающийся тем, что в качестве алкилпроизводных цинка и окислителя берут соответственно диметилцинк или диэтилцинк и водород-кислородную смесь и процесс ведут при давлении паров 60-80мм рт. ст., температуре подложки 20-50°С в режиме горения водород-кислородной смеси.

Номер патенту: 3900

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Новосядлий Степан Петрович, Маскович Степан Михайлович, Прокіпчин Василь Васильович, Гуменяк Михайло Васильович

МПК: H01L 21/28

Мітки: біполярних, формування, інтегральних, високострумових, металізації, спосіб, схем

Формула / Реферат:

1. Способ формирования металлизации для сильнотоковых биполярных интегральных схем, включающий двухстадийное магнетронное распыление мишени в плазме аргона и смеси аргона и (1-10% вес) моносилана, фотолитографию для создания разводки и контактов, отличающийся тем, что распыление составной мишени, содержащей в массиве основного металла штыри из тугоплавкого или редкоземельного металла, для нанесения нижнего слоя проводят в плазме аргона, а...

Номер патенту: 3856

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Василів Ярослав Олексійович, Шретер Валерій Георгійович, Кульов Володимир Іванович, Бірковий Юрій Леонідович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 23/48

Мітки: інтегральної, схемі, корпус

Формула / Реферат:

Корпус для интегральной схемы, содержащий выводную рамку из железоникелевого сплава, кристаллодержатель, алюминиевое основание и крышку, отличающийся тем, что на поверхности кристаллодержателя и внутренних траверс выводной рамки выполнена локальная металлизация из алюминия легированного редкоземельным металлом или из первого слоя редкоземельного металла и слоя алюминия, при этом на лицевой стороне основания нанесена пленка карбида...

Номер патенту: 3767

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Остапчук Анатолій Іванович, Благий Богдан Степанович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: C09J 9/00, C09J 109/00, C09J 161/00 ...

Мітки: клей, мікроелектроніки, теплоелектропровідний

Формула / Реферат:

Теплоэлектропроводный клей для микроэлектроники, включающий связующее и наполнитель, отличающийся тем, что он содержит в качестве связующего смесь раствора резольной фенолоформальдегидной смолы в этаноле с сухим остатком 55-65% и раствора резиновой смеси на основе бутадиен-нитрильного каучука в бутилацетате с сухим остатком 16-18% в массовом соотношении 1:2,0-2,7, а в качестве наполнителя - силицид переходного металла и легированный кремний...

Номер патенту: 1775

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Когут Ігор Тимофійович, Бірковий Юрій Леонідович, Гуменяк Михайло Васильович, Маскович Степан Михайлович

МПК: H01L 21/28

Мітки: інтегральних, схем, металізації, кристалів, стороні, спосіб, зворотної

Формула / Реферат:

Способ металлизации обратной стороны кристалла интегральных схем, включающий формирование кремниевой структуры с активными и пассивными элементами на кристалле, формирование на его нерабочей стороне соединительного слоя из полицида, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью теплоэлектропроводного клея или эвтектики, отличающийся тем, что соединительный слой на обратной стороне формируют...