Патенти з міткою «bi-te-se-sb»
Мастило для процесу отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb методом екструзії
Номер патенту: 82062
Опубліковано: 25.07.2013
Автори: Ринжук Михайло Васильович, Разіньков Валерій Васильович
МПК: H01L 35/00
Мітки: екструзії, процесу, матеріалу, отримання, термоелектричного, bi-te-se-sb, мастило, методом, основі
Формула / Реферат:
Мастило для отримання термоелектричного матеріалу на основі -Те-Se Bi-Sb методом екструзії, що складається з силіконового мастила і мілкодисперного графітового порошку, яке відрізняється тим, що додатково містить каніфоль.
Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу на основі bі-tе-sе-sb для сегментних термоелементів
Номер патенту: 62274
Опубліковано: 25.08.2011
Автори: Копил Олександр Іванович, Струтинська Любов Тимофіївна, Термена Ірина Святославівна
МПК: C30B 13/00
Мітки: термоелектричного, термоелементів, процес, р-типу, сегментних, bi-te-se-sb, отримання, матеріалу, основі
Формула / Реферат:
Процес виготовлення термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів Ві-Te-Se-Sb, що складається з етапів синтезу, охолодження, вертикальної зонної перекристалізації з подальшим контролем параметрів матеріалу, який відрізняється тим, що виготовляється матеріал з електропровідністю (), більшою від розрахованої на 100-150 Ом-1 см-1; проводять послідуючий відпал матеріалу...
Процес отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb
Номер патенту: 41450
Опубліковано: 25.05.2009
Автор: Копил Олександр Іванович
МПК: C30B 13/00
Мітки: термоелектричного, отримання, bi-te-se-sb, основі, матеріалу, процес
Формула / Реферат:
Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролем їх параметрів, який відрізняється тим, що в процесі вирощування температуру зонного нагрівача при проходженні першої чверті злитка рівномірно поступово по лінійному закону збільшують на 25¸30 К, а на...
Процес отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb
Номер патенту: 38415
Опубліковано: 12.01.2009
Автор: Копил Олександр Іванович
МПК: C30B 13/00
Мітки: отримання, процес, bi-te-se-sb, основі, термоелектричного, матеріалу
Формула / Реферат:
Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що складається з етапів завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролюванням їх параметрів, який відрізняється тим, що не влаштовуючі по параметрах кінцеві частини злитка відрізають і повторно використовують замість надлишкового телуру для інших завантажень аналогічного складу...
Процес обробки кристалів твердих розчинів bi-te-se-sb
Номер патенту: 33016
Опубліковано: 10.06.2008
Автори: Величук Денис Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Бучковський Іван Аполінарійович
МПК: B28D 5/00, H01L 35/32
Мітки: розчинів, процес, bi-te-se-sb, твердих, обробки, кристалів
Формула / Реферат:
Процес обробки кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи розташування кристалів на станку, орієнтування за допомогою автоколіматора та наступного різання, який відрізняється тим, що етап орієнтування кристалів на автоколіматорі виконують безконтактним методом індуктивним кільцевим датчиком з розрізом, в якому розміщена вставка з діамагнітного високопровідного матеріалу, при цьому датчик жорстко зафіксований відносно площини...
Спосіб підвищення адгезійної міцності антидифузійних шарів з нікелю на кристалах твердих розчинів bi-te-se-sb
Номер патенту: 6514
Опубліковано: 16.05.2005
Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Фотій Василь Давидович
МПК: H01L 35/12
Мітки: кристалах, антидифузійних, адгезійної, спосіб, підвищення, твердих, міцності, розчинів, нікелю, шарів, bi-te-se-sb
Формула / Реферат:
Спосіб підвищення адгезійної міцності антидифузійних шарів нікелю на кристалах твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає температурний відпал кристала з хімічно нанесеними шарами нікелю, який відрізняється тим, що в процесі температурного відпалу кристали з хімічно нанесеними шарами нікелю піддаються одночасній дії зовнішніх постійного магнітного та імпульсного електричного полів за допомогою циліндричного гіротропного конденсатора при...
Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів bi-te-se-sb методом вертикальної зонної перекристалізації
Номер патенту: 66128
Опубліковано: 15.04.2004
Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович
МПК: C30B 13/00
Мітки: перекристалізації, монокристалів, методом, розчинів, спосіб, bi-te-se-sb, твердих, зонної, вертикальної, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb методом вертикальної зонної перекристалізації, що включає етапи підготовки наважки, її синтез та подальшу перекристалізацію, який відрізняється тим, що формоутворювач вкладається в контейнер з наважкою на етапі її підготовки, її синтез та застигання проводяться при фіксації формоутворювача у верхньому та нижньому положеннях контейнера відповідно, при цьому перекристалізація злитка...