Патенти з міткою «bi-te-se-sb»

Мастило для процесу отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb методом екструзії

Завантаження...

Номер патенту: 82062

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Ринжук Михайло Васильович, Разіньков Валерій Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: екструзії, процесу, матеріалу, отримання, термоелектричного, bi-te-se-sb, мастило, методом, основі

Формула / Реферат:

Мастило для отримання термоелектричного матеріалу на основі -Те-Se Bi-Sb методом екструзії, що складається з силіконового мастила і мілкодисперного графітового порошку, яке відрізняється тим, що додатково містить каніфоль.

Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу на основі bі-tе-sе-sb для сегментних термоелементів

Завантаження...

Номер патенту: 62274

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Копил Олександр Іванович, Струтинська Любов Тимофіївна, Термена Ірина Святославівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: термоелектричного, термоелементів, процес, р-типу, сегментних, bi-te-se-sb, отримання, матеріалу, основі

Формула / Реферат:

Процес виготовлення термоелектричного матеріалу на основі твердих розчинів Ві-Te-Se-Sb, що складається з етапів синтезу, охолодження, вертикальної зонної перекристалізації з подальшим контролем параметрів матеріалу, який відрізняється тим, що виготовляється матеріал з електропровідністю (), більшою від розрахованої на 100-150 Ом-1 см-1; проводять послідуючий відпал матеріалу...

Процес отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb

Завантаження...

Номер патенту: 41450

Опубліковано: 25.05.2009

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: термоелектричного, отримання, bi-te-se-sb, основі, матеріалу, процес

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролем їх параметрів, який відрізняється тим, що в процесі вирощування температуру зонного нагрівача при проходженні першої чверті злитка рівномірно поступово по лінійному закону збільшують на 25¸30 К, а на...

Процес отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb

Завантаження...

Номер патенту: 38415

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, процес, bi-te-se-sb, основі, термоелектричного, матеріалу

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що складається з етапів завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролюванням їх параметрів, який відрізняється тим, що не влаштовуючі по параметрах кінцеві частини злитка відрізають і повторно використовують замість надлишкового телуру для інших завантажень аналогічного складу...

Процес обробки кристалів твердих розчинів bi-te-se-sb

Завантаження...

Номер патенту: 33016

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Величук Денис Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Бучковський Іван Аполінарійович

МПК: B28D 5/00, H01L 35/32

Мітки: розчинів, процес, bi-te-se-sb, твердих, обробки, кристалів

Формула / Реферат:

Процес обробки кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи розташування кристалів на станку, орієнтування за допомогою автоколіматора та наступного різання, який відрізняється тим, що етап орієнтування кристалів на автоколіматорі виконують безконтактним методом індуктивним кільцевим датчиком з розрізом, в якому розміщена вставка з діамагнітного високопровідного матеріалу, при цьому датчик жорстко зафіксований відносно площини...

Спосіб підвищення адгезійної міцності антидифузійних шарів з нікелю на кристалах твердих розчинів bi-te-se-sb

Завантаження...

Номер патенту: 6514

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Фотій Василь Давидович

МПК: H01L 35/12

Мітки: кристалах, антидифузійних, адгезійної, спосіб, підвищення, твердих, міцності, розчинів, нікелю, шарів, bi-te-se-sb

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення адгезійної міцності антидифузійних шарів нікелю на кристалах твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає температурний відпал кристала з хімічно нанесеними шарами нікелю, який відрізняється тим, що в процесі температурного відпалу кристали з хімічно нанесеними шарами нікелю піддаються одночасній дії зовнішніх постійного магнітного та імпульсного електричного полів за допомогою циліндричного гіротропного конденсатора при...

Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів bi-te-se-sb методом вертикальної зонної перекристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 66128

Опубліковано: 15.04.2004

Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: перекристалізації, монокристалів, методом, розчинів, спосіб, bi-te-se-sb, твердих, зонної, вертикальної, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb методом вертикальної зонної перекристалізації, що включає етапи підготовки наважки, її синтез та подальшу перекристалізацію, який відрізняється тим, що формоутворювач вкладається в контейнер з наважкою на етапі її підготовки, її синтез та застигання проводяться при фіксації формоутворювача у верхньому та нижньому положеннях контейнера відповідно, при цьому перекристалізація злитка...