Процес отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb
Формула / Реферат
Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролем їх параметрів, який відрізняється тим, що в процесі вирощування температуру зонного нагрівача при проходженні першої чверті злитка рівномірно поступово по лінійному закону збільшують на 25¸30 К, а на останній чверті - рівномірно поступово по лінійному закону зменшують на ту ж величину.
Текст
Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи завантаження, синтезу, вертикальної зонної пере 3 41450 4 складу синтезується при необхідній температурі Вимірювання коефіцієнтів термоЕРС α прово(1050 К) безперевним перемішуванням впродовж дилося методом «гарячого зонда» (∆Т= 10 К) а 20 хвилин. електропровідності σ - вздовж осі злитку двозонЗлитки вирощувались в ампулах із кварцевого довим методом. Температура зонда і нагрівача скла з внутрішнім діаметром 30 мм і довжиною 400 підтримувалась за допомогою терморегулятора мм, при швидкості вирощування 20 мм/год. РІФ-101 з точністю 0,1 К. Усереднені результати вимірювань представлені в табл.1. Таблиця 1 № злитку Частка злитка впродовж якої проводиться зміна температури нагрівача (в % від довжини) 1 2 3 20 25 30 Вибір меж зміни температури нагрівача грунтується на тому, що, зменшення величини менше 25 К погіршує ефективність способу, а більше 30 К часто призводить до непроплаву злитку. Аналіз наведених результатів показує, що найбільший вихід придатного термоелектричного матеріалу р-типу провідності (80-85 %) спостерігається при збільшенні на першій чверті або зменшення на останній чверті температури зонного нагрівача на 25-30 К. Застосування запропонованого процесу дозволяє в кінцевому рахунку збільшити вихід придатних термоелектричних матеріалів на основі Комп’ютерна верстка Г. Паяльніков Частка відходів в отриманому злитку (в %) в початковій часв кінцевій частині тині злитку злитку 10 11 8 7 10 10 % виходу придатного матеріалу 79 85 80 твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb до 85%, що веде до економії вихідних матеріалів та зменшення відходів. Література: 1. В.А. Гольцман, В.А. Кудинов, ВУ.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Ві2Те3. -М.: Наука, 1972. 216 с. 2. Патент України UA 36796А. А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольський, І.С. Романюк, Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів на основі телуриду вісмуту методом вертикальної зонної перекристалізації. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюProcess for obtaining of thermoelectric material based on bi-te-se-sb
Автори англійськоюKopyl Oleksandr Ivanovych
Назва патенту російськоюПроцесс получения термоэлектрического материала на основе bi-te-se-sb
Автори російськоюКопыл Александр Иванович
МПК / Мітки
МПК: C30B 13/00
Мітки: bi-te-se-sb, термоелектричного, основі, отримання, процес, матеріалу
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-41450-proces-otrimannya-termoelektrichnogo-materialu-na-osnovi-bi-te-se-sb.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Процес отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb</a>
Процес отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb
Номер патенту: 38415
Опубліковано: 12.01.2009
Автор: Копил Олександр Іванович
МПК: C30B 13/00
Мітки: bi-te-se-sb, отримання, матеріалу, процес, термоелектричного, основі
Формула / Реферат:
Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що складається з етапів завантаження, синтезу, вертикальної зонної перекристалізації та охолодження з подальшим контролюванням їх параметрів, який відрізняється тим, що не влаштовуючі по параметрах кінцеві частини злитка відрізають і повторно використовують замість надлишкового телуру для інших завантажень аналогічного складу...
Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів bi i sb
Номер патенту: 10479
Опубліковано: 15.11.2005
Автор: Копил Олександр Іванович
МПК: C30B 13/00
Мітки: провідності, основі, твердих, процес, матеріалу, розчинів, халькогенідів, термоелектричного, отримання, р-типу
Формула / Реферат:
Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Ві і Sb, який включає етапи синтезу, охолодження, вертикальну зонну перекристалізацію та подальше вимірювання розподілу значень термоелектрорушійної сили (термоЕРС) і електропровідності вздовж злитка, який відрізняється тим, що невідповідні параметрам початкові та кінцеві за напрямком росту частини злитка відрізають і повторно сплавляють...
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю
Номер патенту: 27517
Опубліковано: 12.11.2007
Автори: Туровська Лілія Вадимівна, Ткачик Оксана Володимирівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 1/00
Мітки: телуриду, термоелектричного, матеріалу, отримання, спосіб, основі, свинцю
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю, який включає розташування вихідної речовини у кварцовій вакуумній ампулі, поміщення у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, отриману синтезовану речовину піддають гомогенізаційному відпалу, який відрізняється тим, що як...
Застосування твердих розчинів на основі йодидпентатіофосфату міді як матеріалу для оптичного реле температур
Номер патенту: 77297
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович
МПК: G01K 17/08, G01K 11/00, G01J 5/58
Мітки: застосування, міді, твердих, температур, оптичного, реле, матеріалу, основі, розчинів, йодидпентатіофосфату
Формула / Реферат:
Застосування твердих розчинів на основі йодидпентатіофосфату міді Cu6Р(S1-xSeх)5І з 0<х<0,25 як матеріалу для оптичного реле температур.
Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації
Номер патенту: 32716
Опубліковано: 26.05.2008
Автори: Грицюк Богдан Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Раранський Микола Дмитрович
МПК: C30B 13/00
Мітки: методом, монокристалів, зонної, напівпровідникових, отримання, сполук, горизонтально, процес, перекристалізації
Формула / Реферат:
Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації, який складається з етапів попереднього синтезу вихідних матеріалів, подальшого перезавантаження разом з монокристалічною затравкою, затравлювання та зонного вирощування при прямому та зворотному русі зонного нагрівача, який відрізняється тим, що по закінченні кожного з проходів зонний нагрівач переміщують від кінця та початку завантаження...
Попередній патент: Клапан зворотний
Наступний патент: Гичкозрізувальний пристрій
Випадковий патент: Устаткування для ламання пруткових і трубчатих матеріалів