Процес обробки кристалів твердих розчинів bi-te-se-sb

Процес обробки кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи розташування кри 3 33016 розрізом, в якому розміщена вставка з діамагнітного високопровідного матеріалу, при цьому датчик жорстко зафіксований відносно площини різу кристалу - забезпечує заявлюваній корисній моделі необхідний «винахідницький рівень». Промислове використання запропонованого пристрою не вимагає спеціальних технологій і матеріалів, його практична реалізація можлива на існуючих підприємствах приладобудівного напрямку. Запропонований процес проводиться наступним чином. Злиток або пластина з кристалу твердого розчину Bi-Te-Se-Sb закріплюється до столика станка різки та автоколіматором за допомогою безконтактного індуктивного кільцевого датчика з розрізом, в якому розміщена вставка з діамагнітного високопровідного матеріалу задають необхідну площину різу. Виставлення злитку або пластини в цьому випадку проводиться по максимуму і мінімуму значень величин електропровідності, що фіксуються датчиком, які в нашому випадку співпадають з головними кристалографічними напрямками цих термоелектричних матеріалів. При цьому сам безконтактний індуктивний датчик жорстко закріплений до станини відносно площини різу кристалу. Максимальне значення електропровідності, яке реєструється відповідним реєструючим приладом, спостерігається у випадку співпадання площини розрізу індуктивного кільцевого датчика паралельно чітко вираженій площині (001) кристалу, Комп’ютерна верстка І.Скворцова 4 який оброблюється. її мінімальне значення - у випадку перпендикулярній орієнтації площини індуктивного датчика чітко вираженій площині кристалу (001). Максимальна похибка, яка досягається при застосуванні безконтактного методу орієнтації за допомогою індуктивного кільцевого датчика з розрізом, не перевищує 1°. Проведені дослідження показали, що для кристалів, пластин або віток на основі кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb оптимальна робоча частота датчика знаходиться в інтервалі f=120180кГц. Електрична потужність, що прикладається до індуктивного датчика при цьому, не перевищує Р=30мВт. Застосування запропонованого процесу дозволяє підвищити якість орієнтації термоелектричних злитків, деталей та віток, що приводить до зростання виходу придатних і надійності приладів та пристроїв на їх основі. Література: 1. А.с. СССР №971052. Термоэлектрический модуль. А.А. Ащеулов, Н.Н. Глемба, Л.И. Простеби, Р.И. Плашенков. Зав. 04.03.1981. 2. Ю.В. Воронин, А.А. Рубцов. Контроль измерительных приборов и специальных инструментов. - М.: Машиностроение, 1981. - С.88-161. 3. А.с. СССР №1753651А1. Способ обработки монокристаллов теллуридов кадмия. Н.К. Ковбасюк, А.И. Копыл, Ю.А. Озерский, Ю.И. Панчук, П.И. Фейчук. Заяв. 05.06.1990. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601