Процес отримання термоелектричного матеріалу на основі bi-te-se-sb

Процес отримання термоелектричних матеріалів р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb, що складається з етапів 3 38415 напрямків. Послідовність виконання запропонованого процесу наступна. Загрузка твердого розчину відповідного складу підготовлюється із застосуванням замість надлишкового телуру відрізаних початкових і кінцевих частин, наважених у співвідношеннях, які наведені у табл.. Подальший синтез проводять при перемішуванні розплаву впродовж 20 хвилин при температурі 1050К. Злитки вирощувались в ампулах із кварцевого 4 скла з внутрішнім діаметром 30мм і довжиною 400мм, при швидкості вирощування 20мм/год. Вимірювання коефіцієнтів термоЕРС a проводилося методом «гарячого зонда» (DТ=10К) а електропровідності s - вздовж осі злитку двозондовим методом. Температура зонда і нагрівача підтримувалась за допомогою терморегулятора РІФ-101 з точністю 0,1К. Усереднені результати вимірювань представлені в табл.. Таблиця № злитку 1 2 3 4 5 Кількість кінцевих по напрямку росту частин злитку на один кілограм синтезованого матеріалу, г 80 90 100 110 120 Частка відходів в отриманому злитку. в початковій частині злитку, % в кінцевій частині злитку, % 17 11 10 9 9 8 9 10 12 15 Аналіз наведених результатів показує, що найбільший вихід придатного термоелектричного матеріалу р-типу провідності (79-80%) спостерігається при введенні у завантаження 90¸110 грамів відрізаних невлаштовуючих по параметрах початкових і кінцевих частин на кілограм вихідного матеріалу, який синтезується. Застосування запропонованого процесу дозволяє в кінцевому рахунку підняти вихід придатних термоелектричних матеріалів на основі твердих розчинів халькогенідів Bi-Te-Se-Sb до 80%, що веде до економії вихідних матеріалів та зменшен Комп’ютерна в ерстка А. Крулевський % виходу придатного матеріалу 75 80 80 79 76 ня відходів. Джерела інформації: 1. В.А. Гольцман, В.А. Кудинов, ВУ.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Ві 2Те3. - М.: Наука, 1972. 216 с. 2. Патент України UA 36796A. А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольський, І.С. Романюк „Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів на основі телуриду вісмуту методом вертикальної зонної перекристалізації. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601