Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2 -bi2se3
Номер патенту: 56815
Опубліковано: 25.01.2011
Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович
Формула / Реферат
Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.
Текст
Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками. (19) (21) u201008956 (22) 19.07.2010 (24) 25.01.2011 (46) 25.01.2011, Бюл.№ 2, 2011 р. (72) КОЗЬМА АНТОН АНТОНОВИЧ, БАРЧІЙ ІГОР ЄВГЕНІЙОВИЧ, ПЕРЕШ ЄВГЕН ЮЛІЙОВИЧ, САБОВ МАР'ЯН ЮРІЙОВИЧ, БЕЦА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, ЦИГИКА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ 3 56815 300-600 К на пресованих полікристалічних зразках циліндричної форми (d=8-9 MM, 1=6-8 мм). В якості зразків використовували синтезовані з бінарних селенідів евтектичні сплави, які подрібнювали в порошок і просіювали крізь каліброване сито, стандартизоване відповідно до вимог ТУ У36.6-2210200135-001-2003, марки УКС-СЛ з діаметром отворів 0,04 мм. Порошок пресували під тиском 20 МПа. Максимальне значення коефіцієнту термоЕРС евтектичного композиту складало -2430 мкВ/К (Табл.) при 440 і 595 К, що значно, майже в чотири рази за абсолютною величиною, перевищує аналогічні показники для SnSe2 і Bi2Se3 в дослідженому температурному інтервалі [1,4]. Застосування сплаву (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 в якості робочого елементу термоелектричних пристроїв забезпечує їх більшу ефективність як за фізико-технічними, так і економічними характеристиками. Корисна модель може бути використана в енергетиці, в перетворювачах тепла та створенні додаткових джерел електрики на теплових електростанціях та підприємствах. Джерела інформації: Комп’ютерна верстка І.Скворцова 4 1. Насибов И.О., Султанов Т.И., Рустамов П.Г., Алиджанов М.А. Исследование некоторых физических свойств сплавов области твердого раствора в системе Ce2Se3-SnSe2 // Неорган, материалы.-1977.-Т. 13, №6.-С. 982-985. – ПРОТОТИП. 2. Козьма А.А., Барчій І.Є., Переш Є.Ю., Цигика В.В. Фізико-хімічна взаємодія у квазіпотрійній системі SnSe2-TіBiSe2-Bi2Se3 // Вісник УжНУ. Серія "Хімія".- 2009. Вип.21.- С 6-12. 3. Козьма А.А., Переш Є.Ю., Барчій І.Є., Цигика В.В. Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl2Se-SnSe2-Bi2Se3 // Укр. хім. Журнал - 2010.- Т.76, №4.-С. 80-84. 4. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства: Справочник. - К. : Наукова думка, 1979. - 768 с. Табл. Сполука / сплав SnSe2 (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 Bi2Se3 Підписне макс, мкВ/град 640 (585 К) -2430 (440, 595 К) 200 (300 К) Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюThermoelectric material based on eutectic composition snse2 -bi2se3
Автори англійськоюKozma Anton Antonovych, Barchii Ihor Yevheniiovych, Peresh Yevhen Yuliiovych, Sabov Marian Yuriiovych, Betsa Volodymyr Vasyliovych, Tsyhyka Volodymyr Vasyliovych
Назва патенту російськоюТермоэлектрический материал ha ochobe эвтектического композита системы snse2 -bi2se3
Автори російськоюКозьма Антон Антонович, Барчий Игорь Евгеньевич, Переш Евгений Юлиевич, Сабов Марьян Юрьевич, Беца Владимир Васильевич, Цигика Владимир Васильевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 35/00
Мітки: матеріал, snse2, термоелектричний, евтектичного, основі, системі, композиту, bi2se3
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-56815-termoelektrichnijj-material-na-osnovi-evtektichnogo-kompozitu-sistemi-snse2-bi2se3.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2 -bi2se3</a>
Наступний патент: Спосіб хірургічного відкриття коронки ретенованого зуба
Випадковий патент: Предмет м`яких меблів