Патенти з міткою «контакту»

Номер патенту: 38598

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Свягла Василь Михайлович, Гаврилюк Ігор Іванович, Заяць Володимир Петрович

МПК: E21B 49/00

Мітки: визначення, свердловини, контакту, положення, висотного, водонафтового, спосіб

Формула / Реферат:

(21)2000074576(54) (57)Дата прийняття рішення 01.02.2001 р.Спосіб визначення висотного положення водонафтового контакту в свердловині, що включає вимірювання тиску по стовбуру свердловини і густини пластових флюїдів, який відрізняється тим, що на основі розподілу значень тиску по стовбуру свердловини і густини пластових флюїдів орієнтовно встановлюють висотне положення водонафтового контакту, здійснюють...

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Швець Юлій Олександрович, Горбенко Віталій Іванович

МПК: H01L 21/223

Мітки: спосіб, типу, металнапівпровідник, отримання, фосфіду, електричного, індію, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.

Номер патенту: 424

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Гаврилюк Людмила Севастьянівна, Свягла Василь Михайлович, Гаврилюк Ігор Іванович

МПК: E21B 47/04, E21B 49/08

Мітки: водонафтового, положення, пристрій, контакту, висотного, визначення, свердловини

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення висотного положення водонафтового контакту в свердловині, що включає корпус з пробовідбірною камерою, систему клапанів та механізм для їх запирання, який відрізняється тим, що він містить декілька пробовідбірних малогабаритних камер з індивідуальними механізмами запирання клапанів, які мають різні часові затримки, при цьому камери з'єднані перехідними патрубками, що містять сполучені між собою бічні радіальні та...

Номер патенту: 24110

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Яшнік Владілен Макарович, Сумська Тамара Севастянівна, Челюбєєв Віктор Миколайович

МПК: H01L 21/18, H01L 21/24

Мітки: формування, напівпровідників, спосіб, матрично-капельного, контакту

Текст:

...на очищенную поверхность полупроводника эвтектического сплава толщиной 3 0 150 нм с прследующим нагревом до 900-1000°С в течение не более 30 с н охлаждением в течение не более 30 с д о температуры термообработки а После чего осаждают барьерный слой с предварительной выдержкой системы при температуре термообработки в т е чение 0 , 5 - 5 контактом методом магнетронного н а пыления в вакууме осаждают барьерные слои Аи (50 нм) - Мо (100 нм) -...

Номер патенту: 1666

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Постольник Вячеслав Миколайович, Вайнблат Тетяна Іллівна, Гапоненко Геннадій Миколайович, Ланда Лев Меєрович, Павленко Юрій Петрович

МПК: H02H 1/00, H01H 1/02

Мітки: контакту, електричного, контактна, накладка

Формула / Реферат:

Контактная накладка электрического кон­такта, преимущественно для главных контактов аппаратов, выполненная в виде арматуры из ма­териала с температурой плавления не ниже 600 °C, пропитанной токопроводящим материалом с тем­пературой плавления ниже температуры плав­ления арматуры, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности контактирования и эко­номии серебра, пропитывающий токопроводящий материал имеет температуру плавления в преде­лах...