Патенти з міткою «pbте»
Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук а4в6 (pbte, pbsnte, pbgete)
Номер патенту: 49632
Опубліковано: 11.05.2010
Автор: Копил Олександр Іванович
МПК: C30B 13/00
Мітки: pbsnte, твердих, pbgete, pbте, спосіб, розчинів, сублімуючих, вирощування, напівпровідникових, а4в6, сполук, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук A4B6 (РbТе, PbSnTe, PbGeTe), який включає етапи синтезу, охолодження, пересублімації, який відрізняється тим, що зародження монокристала відбувається на синтезованому злитку з наступним його розростанням до дна ампули і заповненням всього її внутрішнього перерізу.
Спосіб отримання легованих кристалів pbте n- i p-типу провідності
Номер патенту: 51285
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Бойчук Володимира Михайлівна, Никируй Любомир Іванович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: p-типу, провідності, отримання, легованих, pbте, спосіб, кристалів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...