Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук а4в6 (pbte, pbsnte, pbgete)

Спосіб вирощування монокристалів сублімуючих твердих розчинів напівпровідникових сполук A4B6 (РbТе, PbSnTe, PbGeTe), який включає етапи синтезу, охолодження, пересублімації, який відрізняється тим, що зародження монокристала відбувається на синтезованому злитку з наступним його розростанням до дна ампули і заповненням всього її внутрішнього перерізу. (19) (21) u200909832 (22) 28.09.2009 (24) 11.05.2010 (46) 11.05.2010, Бюл.№ 9, 2010 р. (72) КОПИЛ ОЛЕКСАНДР ІВАНОВИЧ (73) ІНСТИТУТ ТЕРМОЕЛЕКТРИКИ НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК ТА МІНІСТЕРСТВА ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ 3 ли; с - розростання монокристалу на весь внутрішній переріз ампули, 4 - монокристал, що вирощується, заповнюючи весь поперечний переріз ампули. В запропонованому способі вирощування проводиться наступним чином. У кварцову ампулу з внутрішнім діаметром 36мм, довжиною 200мм, з плоскою торцевою гранню розміщували циліндричний злиток діаметром 25мм і довжиною 100мм із загостреним кінцем синтезованого матеріалу PbGeTe відповідного складу. Далі розміщували ампулу зі злитком в печі таким чином, щоб загострений кінець злитка знаходився при температурі на 3-5К нижчій температури протилежного кінця. При розміщенні запропонованого пристрою у зону теплової дії горизонтальної печі з заданим розподілом температури внаслідок поступового випаровування з наступним переносом елементарних компонентів в кінці циліндричного злитку з загостреним кінцем виростав монокристал PbGeTe відповідного складу. Лінійна швидкість його росту складала 1,5-2см/добу. При досягненні кристалом 49632 4 дна ампули він розростався до заповнення всього перерізу ампули і ріс до повного переносу вихідного матеріалу. Отримані монокристали циліндричної форми мали діаметр 3,6мм і довжину 4,0см, -2 густина дислокацій ~10см . Проведені дослідження показали, що напівширина кривих гойдання для площини відбивання на рентгенограмах СuК - випромінювання з індексом Міллера (100), отримані 25', при цьому об'ємних дефектів і механічних напруг не виявлено. Кристали отримувались як n-, так і p-типу провідності з концентрацією носіїв струму [Д]=3.1014см-3, акцепторів [A]=1,7 1015cм-3. Джерела інформації: 1. Tamari N., Shtrikman H. Non-seeded growth of langer single Pb1-xSnxTe crystals on a suarface // J. Cryst. Growth. - 1978. - V.43. - P.378-380. 2. Anderzej Szczerbakow, Ken Durose. Selfselecting vapour growth of bulk crystals - Principles and applicability // J. Cryst. Growth. - 2005. - V.5LP.81-108. 5 Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська 49632 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601