Патенти з міткою «станум»
Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду р-типу
Номер патенту: 93185
Опубліковано: 25.09.2014
Автори: Ткачук Андрій Іванович, Чав'як Іван Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: покращення, властивостей, спосіб, наноструктурованого, термоелектричних, р-типу, телуриду, станум
Формула / Реферат:
1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду p-типу, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки випаровують при температурі ТВ, осаджують пару на підкладку із свіжих сколів (0001) слюди-мусковіт при температурі ТП, до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що температура випарника складає ТВ=(870±10)К, температура підкладки -...
Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках
Номер патенту: 93184
Опубліковано: 25.09.2014
Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович
МПК: B82B 3/00
Мітки: термоелектричного, станум, ситалових, отримання, підкладках, наноструктурованого, телуриду, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Тв, осаджують пару на підкладку при температурі Тп до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Тв=(870±10) К, температура...
Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду
Номер патенту: 62087
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Харун Лідія Тарасівна, Чав'як Іван Ігорович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктурованого, телуриду, отримання, спосіб, станум
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки SnTe при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (0001) слюди при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп= (420-520) К.2. Спосіб за п. 1, який...