Чав’як Іван Ігорович

Номер патенту: 93185

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович, Чав'як Іван Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: станум, р-типу, спосіб, покращення, термоелектричних, властивостей, наноструктурованого, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду p-типу, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки випаровують при температурі ТВ, осаджують пару на підкладку із свіжих сколів (0001) слюди-мусковіт при температурі ТП, до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що температура випарника складає ТВ=(870±10)К, температура підкладки -...

Номер патенту: 93184

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричного, спосіб, отримання, наноструктурованого, ситалових, станум, підкладках, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Тв, осаджують пару на підкладку при температурі Тп до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Тв=(870±10) К, температура...

Номер патенту: 62087

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Чав'як Іван Ігорович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Харун Лідія Тарасівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, отримання, станум, наноструктурованого, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки SnTe при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (0001) слюди при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп= (420-520) К.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 54833

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Ткачук Андрій Іванович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, термоелектричних, свинцю, телуриду, спосіб, покращення, характеристик

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.2....

Номер патенту: 46030

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович, Бачук Василь Васильович, Никируй Ростислав Іванович, Ліщинський Ігор Мирославович

МПК: H01F 41/00, B82B 1/00

Мітки: свинцю, отримання, спосіб, структур, квантово-розмірних, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки AIVBVI при температурі випаровування наважки ТВ, осаджують на підкладки при температурі ТП протягом певного часу t, який відрізняється тим, що як підкладку вибирають попередньо окислені монокристали кремнію SiО2-Si.2. Спосіб за п. 1, який...