Патенти з міткою «талій»
Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (і) бісмут (ііі) диселеніду tlbise2
Номер патенту: 105409
Опубліковано: 25.03.2016
Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Соломон Андрій Михайлович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович
МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 29/00 ...
Мітки: бісмут, диселеніду, ііі, синтезу, термоелектрика, твердофазного, tlbise2, талій, енергозберігаючого, спосіб, перспективного
Формула / Реферат:
Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4
Номер патенту: 50095
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович
МПК: H01L 35/00
Мітки: спосіб, талій, термоелектричної, tl4sns4, тетратіостанату, покращення, добротності, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3
Номер патенту: 42908
Опубліковано: 27.07.2009
Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович
МПК: H01L 35/00
Мітки: тритіостанату, талій, покращення, добротності, tl2sns3, спосіб, термоелектричної, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.