Мартинов Валерій Павлович

Номер патенту: 45110

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/36

Мітки: гадолінію, вирощування, ортосилікату, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію методом Чохральського в інертному середовищі з доданням кисню на запал, орієнтовану вздовж певного кристалографічного напряму, з подальшим охолоджуванням в умовах осьового температурного градієнта, що не перевищує 10 град/см, яким відрізняється тим, що використовують запал, орієнтовану вздовж кристалографічного напряму Х, а температурний градієнт забезпечують відкачкою ростової камери до...

Номер патенту: 29131

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Манько Владіслав Івановіч, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Півень Леонід Олексійович, Мартинов Валерій Павлович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вольфрамату, робочих, свинцю, характеристик, відновлення, основі, сцинтиляторів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб відновлення робочих характеристик сцинтиляторів на основі вольфрамату свинцю, що включає опромінювання їх видимим світлом, який відрізняється тим, що опромінювання проводять на довжині хвилі 530-580 нм з енергетичною освітленістю 0,15-0,2 мВт/см2 на протязі 25-30 хвилин.

Номер патенту: 19641

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Востецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: вольфраму, одержання, монокристалів, свинцю, спосіб, сцинтиляційних

Формула / Реферат:

Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца, включающий наплавление исходного сырья в тигель, выравнивание вытягиванием на затравку с последующим отжигом в кислородсодержащей атмосфере и охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что предварительно исходное сырье нагревают до температуры 450°-500°С, затем сырье нагревают до Тпл + (30-40)°С (где Тпл - температура плавления исходного сырья) при давлении в...

Номер патенту: 17930

Опубліковано: 03.06.1997

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Мартинов Валерій Павлович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Волошин Василь Олексійович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: оксидів, шихти, складних, спосіб, наплавління, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ наплавлення шихты монокристаллов сложных оксидов, включающий загрузку шихты в тигель, помещение тигля в узел наплавлення, нагрев тигля индукционным методом до полного расплавления шихты при постоянной номинальной подводимой к индуктору мощности, догрузку и доплавление шихты и охлаждение тигля до затвердевания расплава, отличающийся тем, что после полного расплавления шихты увеличивают подводимую к индуктору мощность на 10-20% от...

Номер патенту: 17738

Опубліковано: 20.05.1997

Автори: Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Спасов Володимир Григорович

МПК: C30B 15/00

Мітки: свинцю, вольфрамату, одержання, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов вольфрамата свинца, включающий их выращивание из расплава и последующую термообработку, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов осуществляют в среде, содержащей кислород в количестве 0,02-0,3% объема, а термообработку проводят при содержании кислорода 0,001-0,03% объема.

Номер патенту: 10565

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: монокристалів, сцинтиляторів, кадмію, спосіб, виготовлення, вольфрамату

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтилляторов из мо­нокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллогра­фической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.

Номер патенту: 10603

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування, кадмію, сцинтиляційних, вольфрамату

Формула / Реферат:

Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, вы­ращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что вы­ращивание ведут вдоль кристаллографического на­правления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...

Номер патенту: 10831

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович, Пирогов Євген Миколайович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 33/00

Мітки: термообробки, кадмію, вольфрамату, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов вольфра­мата кадмия, включающий нагрев, выдержку и ох­лаждение, отличающийся тем, что нагрев проводят в кислородсодержащей атмосфере до тем­пературы 950-1230°С при выдержке 25-75 часов.

Номер патенту: 6395

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/02

Мітки: спосіб, тиглів, коштовних, відновлення, вирошування, металів, монокристалів

Формула / Реферат:

(57) Способ восстановления тиглей из драгоценных металлов для выращивания монокристаллов, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что перед прокаткой тигель отжигают при 1200-1400°С и давлении 101-10-3 торр в течение 0,5-5,0 часов.

Номер патенту: 5386

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: спосіб, вісмуту, германату, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий затравление на вращающуюся затравку, разращивание верхней конусной части монокристалла с заданным телесным углом и вытягивание цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, отличающийся тем, что разращивание верхней конусной части осуществляют в пределах телесного угла 130-160 град.

Номер патенту: 3391

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Загвоздкін Борис Васильович, Мартинов Валерій Павлович

Мітки: спосіб, вісмуту, монокристалів, вирощування, германату

Формула / Реферат:

(57) Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий расплавление исходного материала в платиновом тигле с помощью высокочастотного индуктора, затравление на вращающуюся затравку, разращивание конусной части кристалла, вытягивание его цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что после отделения кристалла мощность индуктора уменьшают в 1,5-2,5 раза в течение 2...