Ніжанковський Сергій Вікторович
Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації
Номер патенту: 115514
Опубліковано: 10.11.2017
Автори: Танько Аліна Вікторівна, Гринь Леонід Олексійович, Романенко Андрій Олександрович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Ніжанковський Сергій Вікторович
МПК: C30B 29/20, C30B 11/02, C30B 11/14 ...
Мітки: пристрій, кристалізації, спрямовано, монокристалів, вирощування, горизонтально, методом, тугоплавких, оксидів
Формула / Реферат:
Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...
Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації
Номер патенту: 114121
Опубліковано: 25.04.2017
Автори: Баранов В'ячеслав Валерійович, Гринь Леонід Олексійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Романенко Андрій Олександрович, Танько Аліна Вікторівна
МПК: C30B 11/02, C30B 29/20, C30B 11/14 ...
Мітки: спосіб, кристалізації, спрямовано, вирощування, горизонтально, методом, тугоплавких, монокристалів, оксидів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...
Світлодіод білого світла з монокристалічним фосфором
Номер патенту: 113542
Опубліковано: 10.02.2017
Автори: Саввін Юрій Миколайович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Танько Аліна Вікторівна
МПК: F21K 99/00, H01L 33/00
Мітки: світлодіод, монокристалічним, білого, світла, фосфором
Формула / Реферат:
Світлодіод білого світла з монокристалічним фосфором, який містить світлодіодний чип з максимумом випромінювання на довжині хвилі =450 нм, монокристалічний фосфор YAG:Ce з концентрацією церію 0,1-0,2 ат.%, товщиною пластини 0,5-1мм і рельєфом поверхні, який відрізняється тим, що середньоквадратична шорсткість рельєфу поверхні монокристалічного фосфору складає 0,72-6,4...
Спосіб одержання кристалічної плівки нітриду алюмінію
Номер патенту: 90239
Опубліковано: 12.04.2010
Автори: Сидельникова Наталя Степанівна, Ром Михайло Аронович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Данько Олександр Яковлевич, Калтаєв Халіл Шамсаддин-огли
МПК: C01B 21/072, C01F 7/00, C30B 25/00 ...
Мітки: алюмінію, спосіб, кристалічної, плівки, нітриду, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання кристалічної плівки нітриду алюмінію шляхом нітридизації сапфіра, що включає відпал в присутності вуглецю сапфірової підкладки орієнтацією (11-20) в середовищі, що містить азот і СО, загальним тиском 1 атм в графітовій печі, який відрізняється тим, що відпал проводять у вказаній атмосфері зі вмістом СО 0,001-0,1 об. % при температурі 1300-1450 °С протягом 2-10 годин.
Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію
Номер патенту: 86876
Опубліковано: 25.05.2009
Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Мірошников Юрій Петрович, Гринь Леонід Олексійович
МПК: C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 11/00 ...
Мітки: алюмінію, оксиду, вирощування, монокристалів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...
Спосіб одержання шихти для вирощування монокристалів корунду із розплаву
Номер патенту: 50000
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Сідельнікова Наталія Степанівна, Адонкін Георгій Тимофійович, Каніщев Василь Миколайович, Данько Олександр Якович, Ніжанковський Сергій Вікторович
МПК: C01F 7/02, C30B 29/20
Мітки: вирощування, одержання, спосіб, корунду, монокристалів, шихти, розплаву
Формула / Реферат:
Спосіб одержання шихти для вирощування монокристалів корунду із розплаву, який включає завантаження порошку глинозему у камеру печі, його нагрів зверху і плавлення в гарнісажі, роздрібнення продукту плавки, який відрізняється тим, що в порошок глинозему додають 0,4...0,6 ваг. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, порошок глинозему перед сплавленням прожарюють у газовому середовищі на основі монооксиду вуглецю при тиску...
Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву
Номер патенту: 460
Опубліковано: 29.12.1999
Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Каніщев Василь Миколайович, Сідельнікова Наталія Степанівна
МПК: F27B 9/00, F27B 1/00, G01N 21/71 ...
Мітки: одержання, монокристалів, піч, шихти, вирощування, розплаву
Формула / Реферат:
Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву з днищем, кожухом і склепінням, які охолоджено зовні та футеровано, та розташованим усередині неї нагрівачем, яка відрізняється тим, що склепіння печі футеровано графітом, а нагрівач виконано за типом нагрівача опору.