Патенти з міткою «приповерхневого»

Номер патенту: 48502

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Жарких Юрій Серафимович, Примаченко Іван Андрійович, Третяк Олег Васильович, Єременко Вадим Олексійович, Карплюк Олександр Іванович, Лисоченко Сергій Васильович

МПК: G01B 11/30

Мітки: товщини, визначення, пластинах, спосіб, кремнію, шару, мікродефектного, приповерхневого

Формула / Реферат:

Спосіб визначення товщини приповерхневого мікродефектного шару на пластинах кремнію, що включає опромінення зразка світлом і реєстрацію характеристик відбитої зразком частини опромінення, який відрізняється тим, що опромінення проводять в області прозорості кремнію інфрачервоним світлом з довжиною хвиль 1,3-27 мкм, а товщину приповерхневого мікродефектного шару на пластинах кремнію визначають за величиною довгохвильової межі густини шумів...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі

МПК: H01L 21/04

Мітки: аiiвvi, бар'єрних, легування, хвилею, групи, спосіб, елементами, аiii, сполук, приповерхневого, створенні, структур, напівпровідникових, електричних, пружною

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...

Номер патенту: 67516

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Бондаренко Максим Олексійович, Канашевич Георгій Вікторович, Дубровська Галина Миколаївна

МПК: C03C 15/00

Мітки: виявлення, шару, дефектного, спосіб, приповерхневого, скла, оптичного

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектного приповерхневого шару оптичного скла, що включає попередній розігрів зразка до 400...520°С, опромінювання зразка електронним потоком та переміщення його вздовж поверхні зразка зі швидкістю 0,1...50 см/с, який відрізняється тим, що питома потужність, з якою ведуть навантаження зразка електронним потоком складає , а зразок підлягає наступному...

Номер патенту: 65426

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Чугай Олег Миколайович, Олійник Сергій Володимирович, Мигаль Валерій Павлович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сулима Сергій Віталійович

МПК: G01N 13/10

Мітки: приповерхневого, вимірювання, потенціалу, спосіб, електростатичного, напівпровіднику

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику, що включає отримання залежності від довжини хвилі фотозбудження приросту ефективних значень діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка, побудову в комплексній площині відповідних діаграм, з яких визначається характеристична довжина хвилі λi та глибина залягання відповідного енергетичного рівня відносно верхньої межі валентної зони...

Номер патенту: 38237

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Коваленко Михайло Васильович, Саверський Сергій Юрійович, Васюкович Ігор Георгійович

МПК: G21F 9/34

Мітки: відходів, радіоактивних, сховища, приповерхневого, спосіб, будівництва

Текст:

...з траншеї, містить в собі радіонукліди і тому з нею поводяться як з рідкими РАВ тобто переводять в безпечну, компактну форму і захороняють. Найдоцільніше цю вду змішати з цементом та піском і отриманій таким чином розчин залити в опалубку, або спеціальні контейнери, а після затвердіння розчину захоронити в туж траншею, з якої вода була відкачана, або в аналогічну їй траншею. Після відкачування води виконують операції по закриванню...